SOITEC公司I·拉杜获国家专利权
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龙图腾网获悉SOITEC公司申请的专利用于生产在多晶SiC的载体衬底上包含单晶SiC的薄层的复合结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114746980B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080081990.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权用于生产在多晶SiC的载体衬底上包含单晶SiC的薄层的复合结构的方法是由I·拉杜;H·比亚德;C·马勒维尔;E·吉奥特;D·朗德吕设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于生产在多晶SiC的载体衬底上包含单晶SiC的薄层的复合结构的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于生产包含位于碳化硅的载体衬底20上的单晶碳化硅的薄层10的复合结构1的方法。所述方法包括：a提供单晶碳化硅的初始衬底11的步骤，b在初始衬底11上外延生长单晶碳化硅的供体层110以形成供体衬底111的步骤，c将轻物种离子注入至供体层110以形成界定薄层10的掩埋脆性面12的步骤，d在供体层110的自由表面上形成碳化硅的支撑衬底20的步骤，其包括在介于400℃和1100℃之间的温度下进行沉积，e沿着掩埋脆性面12分离以形成复合结构1和供体衬底的剩余部分111’的步骤，f对复合结构1进行化学‑机械处理的步骤。
本发明授权用于生产在多晶SiC的载体衬底上包含单晶SiC的薄层的复合结构的方法在权利要求书中公布了：1.用于生产包含布置在碳化硅的载体衬底20上的单晶碳化硅的薄层10的复合结构1的方法，所述方法包括： a提供单晶碳化硅的初始衬底11的步骤， b在介于1500℃和1650℃之间的温度下进行的在初始衬底11上外延生长单晶碳化硅的供体层110以形成供体衬底111的步骤，所述供体层110具有比初始衬底11更低的晶体缺陷密度， c将轻物种离子注入至供体层110以形成掩埋脆性面12的步骤，所述掩埋脆性面12在所述掩埋脆性面12和所述供体层110的自由表面之间界定薄层10， d在供体层110的自由表面上形成碳化硅的载体衬底20的步骤，其包括在介于400℃和1100℃之间的温度下进行沉积，和在供体层110和载体衬底20之间限定非绝缘界面， e沿着掩埋脆性面12分离以一方面形成复合结构1并另一方面形成供体衬底的剩余部分111’的步骤， f机械处理和或化学处理复合结构1以使薄层10的自由表面平滑并校正复合结构1的厚度均匀性的步骤。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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