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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利研磨方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823318B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210440877.7，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权研磨方法是由李松设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本研磨方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种研磨方法，包括：首先根据前值影响因素值、后值影响因素值和研磨垫的寿命，设置实际研磨量；然后根据所述实际研磨量获取对应的实际研磨时间，利用IAPC系统按照所述实际研磨时间对晶圆执行N次粗研磨工艺，其中，N为大于或者等于1的整数；最后利用所述IAPC系统对晶圆执行精研磨工艺。本申请根据前值影响因素值、后值影响因素值和研磨垫的寿命来优化IAPC系统的研磨量，在不同的lifetime周期实现研磨量的动态调整，优化现有的反馈逻辑从而实现研磨时间的优化，使随机到站的批量过货的成功率大大提升，避免了平台因为长期不过货造成再次工作时最前几批次的芯片的研磨厚度异常的情况。

本发明授权研磨方法在权利要求书中公布了：1.一种研磨方法，其特征在于，包括： 根据前值影响因素值、后值影响因素值和研磨垫的寿命，设置实际研磨量； 根据所述实际研磨量获取对应的实际研磨时间，利用IAPC系统按照所述实际研磨时间对第m片晶圆执行N次粗研磨工艺，其中，m、N为大于或者等于1的整数； 利用所述IAPC系统对第m片晶圆执行精研磨工艺； 其中，所述实际研磨量满足如下公式：Wm＝Xm-Em+d×F，其中，Wm为第m片晶圆的所述实际研磨量，Xm为带入前值影响因素值的第m片晶圆的预设研磨量，Em为带入前值影响因素值、后值影响因素值的反馈厚度，d为系数，F为所述研磨垫的寿命，其中，所述系数的范围为0.1～1； 所述带入前值影响因素值的第m片晶圆的预设研磨量满足如下公式：Xm＝A+Bm，其中，A为理想研磨量，Bm为第m片晶圆的所述前值影响因素值； 第m片晶圆的所述前值影响因素值满足如下公式：Bm＝b1m-b2m，其中，b1m为粗研磨前第m片晶圆厚度的实际量测量，b2m为粗研磨前第m片晶圆厚度的目标量； 所述带入前值影响因素值、后值影响因素值的反馈厚度满足如下公式：Em＝Ym-Xm÷Xm，其中，Ym为带入后值影响因素值的第m片晶圆的预设研磨量； 所述带入后值影响因素值的第m片晶圆的预设研磨量满足如下公式：Ym＝A+Bm-Cm，其中，Cm为第m片晶圆的所述后值影响因素值； 第m片晶圆的所述后值影响因素值满足如下公式：Cm＝c1m-1-c2m-1，其中，c1m-1为粗研磨后第m-1片晶圆厚度的实际量测量，c2m-1为粗研磨后第m-1片晶圆厚度的目标量；其中，第1片晶圆的所述后值影响因素值为0。

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