长江存储科技有限责任公司张强威获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823700B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210356369.0，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备是由张强威;袁彬;许宗珂设计研发完成，并于2022-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备。三维存储器的制备方法包括：形成包括多个堆叠层的叠层结构，并在叠层结构中形成多个阶梯台阶；形成覆盖阶梯台阶的介质层，并在介质层中形成与叠层结构的叠层面垂直的顶部选择栅切口；形成贯穿介质层和阶梯台阶的虚拟沟道孔；以及采用绝缘材料填充顶部选择栅切口和虚拟沟道孔以分别形成顶部选择栅结构和虚拟沟道结构，其中，虚拟沟道孔包括第一虚拟沟道孔，第一虚拟沟道孔在叠层面上的投影与顶部选择栅切口在叠层面上的投影具有重叠区域，重叠区域在平行于顶部选择栅切口的第一方向上的延伸长度小于第一虚拟沟道孔在平行于第一方向上的最大开口尺寸。
本发明授权三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制备方法，其中，包括： 形成包括多个堆叠层的叠层结构，并在所述叠层结构中形成多个阶梯台阶； 形成覆盖所述阶梯台阶的介质层，并在所述介质层中形成与所述叠层结构的叠层面垂直的顶部选择栅切口； 形成贯穿所述介质层和所述阶梯台阶的虚拟沟道孔；以及 采用绝缘材料填充所述顶部选择栅切口和所述虚拟沟道孔以分别形成顶部选择栅结构和虚拟沟道结构， 其中，所述虚拟沟道孔包括第一虚拟沟道孔，所述第一虚拟沟道孔在所述叠层面上的投影与所述顶部选择栅切口在所述叠层面上的投影具有重叠区域，所述重叠区域在平行于所述顶部选择栅切口的第一方向上的延伸长度小于所述第一虚拟沟道孔在平行于所述第一方向上的最大开口尺寸。
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