中国计量科学研究院李万获国家专利权
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龙图腾网获悉中国计量科学研究院申请的专利一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114839666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210349022.3，技术领域涉及：G01T1/36；该发明授权一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器及其制作方法是由李万;陈建;王雪深;徐骁龙;李劲劲设计研发完成，并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器，包括：一层吸收体；两层以上TES薄膜，所有TES薄膜之间有序排列，直接或间接连接；至少一层TES薄膜与吸收体热连接；每个TES薄膜对应的超导转变边沿传感器饱和能量均不相同，每个TES薄膜连接有信号读出电路；热沉，与至少一层TES薄膜弱连接。本发明的有益效果是：对比单个TES薄膜的超导转变边沿传感器，本发明可以在基本不损失低能光子探测能量分辨率的情况下实现大动态范围测量。
本发明授权一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器，其特征在于，包括： 一层吸收体； n层TES薄膜，n为大于1的自然数，所有TES薄膜之间有序排列，直接或间接连接；所述n层TES薄膜作为一个整体与所述吸收体热连接； n个信号读出电路，与所述n层TES薄膜一一对应电连接，用于独立地读出每层所述TES薄膜的电阻变化信号； 热沉，与至少一层TES薄膜弱连接； 其中，所述n层TES薄膜设置不同的尺寸，和或，不同的超导转变温度Tc，和或，不同的温度敏感系数α，和或，不同的超导转变边沿传感器热容C，使每层所述TES薄膜对应的饱和能量Esat不相同，从而通过选择不同所述TES薄膜的读出信号控调传感器的能量探测动态范围。
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