华虹半导体(无锡)有限公司肖酉获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利太鼓减薄晶圆的取环方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843178B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210470569.9，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权太鼓减薄晶圆的取环方法是由肖酉;孙运龙;许有超;朱田设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本太鼓减薄晶圆的取环方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太鼓减薄晶圆的取环方法，包括：步骤一、对太鼓减薄晶圆进行环切；步骤二、进行双重对准工艺，包括：对环切后的所述中间部分的外侧边缘进行检测实现第一重对准；对环切后的支撑环的外侧边缘进行检测实现第二重对准；步骤三、进行取环工艺将所述支撑环去除；在取环工艺中，利用第一重对准确定中间部分的位置，利用第二重对准确定取环刀片的作用位置。本发明能提高位于环切完成后以及取环之前的对准工艺的准确度，增加取环窗口，降低裂纹率，最后提高取环稳定性。
本发明授权太鼓减薄晶圆的取环方法在权利要求书中公布了：1.一种太鼓减薄晶圆的取环方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供太鼓减薄晶圆，所述太鼓减薄晶圆包括支撑环以及位于所述支撑环内侧的中间部分；对所述太鼓减薄晶圆进行环切在所述支撑环和所述中间部分之间形成沟槽，所述沟槽使所述支撑环和所述中间部分分开； 步骤二、进行双重对准工艺，包括： 对所述环切后的所述中间部分的外侧边缘进行检测实现第一重对准； 对所述环切后的所述支撑环的外侧边缘进行检测实现第二重对准； 步骤三、进行取环工艺将所述支撑环去除； 在所述取环工艺中，利用所述第一重对准确定所述中间部分的位置，从而防止所述中间部分的位置产生偏移以及消除由所述中间部分的位置偏移形成的裂纹； 利用所述第二重对准确定取环刀片的作用位置，从而防止所述取环刀片的作用位置出现异常以及消除由所述取环刀片的作用位置异常造成取环失败和裂纹。
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