南京文采工业智能研究院有限公司蔡小五获国家专利权
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龙图腾网获悉南京文采工业智能研究院有限公司申请的专利一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899216B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210392572.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件是由蔡小五;池敏设计研发完成，并于2022-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件在说明书摘要公布了：本发明涉及功率器件技术领域，且公开了一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，包括硅片主体和基体层，所述基体层位于所述硅片主体的内部，所述硅片主体的内部开设有漂移层，所述漂移层位于所述基体层的底部，所述漂移层的内壁电镀有氧化硅，所述漂移层的底部开设有扩容槽，所述漂移层的底部固定安装有衬底，所述硅片主体的内部开设有沟槽，所述衬底的底部固定安装有漏极金属层，所述基体层的顶部固定安装有源极金属层。通过在漂移层内壁开设扩容槽，从而增大漂移层的面积，且硅片主体尺寸并不会增大，实现了功率器件具备超低比导通电阻特性的前提下，保证硅片主体尺寸不变大的效果。
本发明授权一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件在权利要求书中公布了：1.一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，包括硅片主体1和基体层2，所述基体层2位于所述硅片主体1的内部； 其特征在于：所述硅片主体1的内部开设有漂移层3，所述漂移层3位于所述基体层2的底部，所述漂移层3内部含有游离的电子，所述漂移层3的内壁电镀有氧化硅，所述漂移层3的底部开设有扩容槽31，所述漂移层3的底部固定安装有衬底4，所述硅片主体1的内部开设有沟槽5，所述沟槽5位于所述漂移层3的上方，所述衬底4的底部固定安装有漏极金属层6，所述基体层2的顶部固定安装有源极金属层7。
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