信越半导体株式会社铃木克佳获国家专利权
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龙图腾网获悉信越半导体株式会社申请的专利外延片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092094.3，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权外延片的制造方法是由铃木克佳;铃木温设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延片的制造方法，其为在由包含硅的IV族元素构成的晶圆上形成单晶硅层的外延片的制造方法，其包括：在含氢气氛下，去除所述由包含硅的IV族元素构成的晶圆表面的自然氧化膜的工序；在去除所述自然氧化膜之后，使所述晶圆氧化，从而形成氧原子层的工序；及在形成所述氧原子层之后，使单晶硅在所述晶圆表面进行外延生长的工序，并且在该制造方法中，将所述氧原子层的氧的平面浓度设为4×1014原子cm2以下。由此，可提供一种能将氧原子层稳定且简便地导入至外延层，并具有优质单晶硅的外延层的外延片的制造方法。
本发明授权外延片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种外延片的制造方法，其为在由包含硅的IV族元素构成的晶圆上形成单晶硅层的外延片的制造方法，其特征在于，包含： 在含氢气氛下，去除所述由包含硅的IV族元素构成的晶圆表面的自然氧化膜的工序； 在去除所述自然氧化膜之后，使所述晶圆氧化，从而形成氧原子层的工序；及 在形成所述氧原子层之后，通过气相沉积法使单晶硅在所述晶圆表面进行外延生长的工序， 将所述氧原子层的氧的平面浓度设为4×1014原子cm2以下。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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