福建金石能源有限公司张津燕获国家专利权
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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种高效异质结微晶电池的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114999901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210613341.0，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权一种高效异质结微晶电池的制作方法是由张津燕;曾清华设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效异质结微晶电池的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高效异质结微晶电池的制作方法，在经钝化后的半导体基板上进行微晶硅膜层分阶段沉积，采用逐个阶段提高反应气体中氢气和硅烷之间的比值进行沉积控制。本发明的目的在于提供一种高效异质结微晶电池的制作方法，通过控制氢硅比条件形成满足异质结电池需要的微晶硅膜层，能够同时提升电池的短路电流、开路电压和填充因子，使得电池转换效率得以大幅提升。
本发明授权一种高效异质结微晶电池的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高效异质结微晶电池的制作方法，其特征在于：在经本征非晶硅层钝化后的半导体基板上进行微晶硅膜层分阶段沉积，采用逐个阶段提高反应气体中氢气和硅烷之间的比值进行沉积控制，所述微晶硅膜层分阶段沉积中，氢气和硅烷之间的比值，即氢硅比，每阶段的增幅是等值或不等值，最终阶段的氢硅比相较最初阶段的氢硅比提高20％以上；所述氢硅比为体积份数比；所述微晶硅膜层分阶段沉积中，反应气体包括氢气、硅烷以及掺杂气体； 其中，所述微晶硅膜层为N型微晶硅膜层，在微晶硅膜层分阶段沉积中，氢硅比为100-300：1，反应气体压力为150-400Pa，沉积功率密度为0.08-0.3Wcm2；或者，所述微晶硅膜层为P型微晶硅膜层，在微晶硅膜层分阶段沉积中，氢硅比为200-500：1，反应气体压力为150-400Pa，沉积功率密度为0.1-0.4Wcm2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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