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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利熔断熔丝编程单元、编程电路、控制电路和阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115019866B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210597642.9，技术领域涉及：G11C17/16；该发明授权熔断熔丝编程单元、编程电路、控制电路和阵列是由晏颖设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本熔断熔丝编程单元、编程电路、控制电路和阵列在说明书摘要公布了：本发明公开了一种熔断熔丝编程单元、编程电路、控制电路和阵列，包括：两个efuse单元和一个模式控制管；第一efuse单元，包括：第一熔丝一端构成该熔断熔丝编程单元的第一线端，第二端接第一MOS的漏端；第一MOS，其源端接地，其栅端构成该熔断熔丝编程单元的第一字线；第二efuse单元，包括：第二熔丝第一端构成该熔断熔丝编程单元的第二线端，其第二端接第二MOS的漏端；第二MOS源端接地，其栅端构成该熔断熔丝编程单元的第二字线；模式控制管源端接第二efuse单元的线端，其漏端接第一MOS的源端，其栅端构成该熔断熔丝编程单元的修正端。本发明提高了熔断熔丝编程单元阵列的使用灵活性，并实现每个存储位都具有冗余修正功能。

本发明授权熔断熔丝编程单元、编程电路、控制电路和阵列在权利要求书中公布了：1.一种熔断熔丝编程单元，其特征在于,包括：两个efuse单元和一个模式控制管Nsw； 第一efuse单元，包括： 第一熔丝link1，其一端构成该熔断熔丝编程单元的第一连接端，该第一连接端用于连接第一位线BL1，其第二端连接第一MOSN1的漏端； 第一MOSN1，其源端连接地，其栅端构成该熔断熔丝编程单元的第二连接端，该第二连接端用于连接第一字线WLo； 第二efuse单元，包括： 第二熔丝link2，其第一端构成该熔断熔丝编程单元的第三连接端，该第三连接端用于连接第二位线BL2，其第二端连接第二MOSN2的漏端； 第二MOSN2，其源端连接地，其栅端构成该熔断熔丝编程单元的第四连接端，该第四连接端用于连接第二字线WLe； 模式控制管Nsw，其源端连接第二位线BL2，其漏端连接第一MOSN1的源端，其栅端构成该熔断熔丝编程单元的第五连接端，该第五连接端用于连接修正信号REWL。

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