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龙图腾网获悉杭州士兰集成电路有限公司申请的专利双向瞬态电压抑制保护器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036306B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210799401.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权双向瞬态电压抑制保护器件及其制造方法是由王明辉设计研发完成，并于2022-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本双向瞬态电压抑制保护器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双向瞬态电压抑制保护器件及其制造方法，所述双向瞬态电压抑制保护器件包括：衬底，具有第一导电类型；外延层，位于所述衬底上，所述外延层具有第二导电类型；MOS晶体管，包含栅极结构、源极区和漏极区，所述栅极结构位于所述外延层上，所述源极区和所述漏极区分别位于所述栅极结构两侧的外延层中；所述源极区和所述漏极区具有第一导电类型，以使得所述衬底、所述外延层和所述源极区构成第一三极管，以及使得所述衬底、所述外延层和所述漏极区构成第二三极管。本发明的技术方案能够实现双向高对称性瞬态电压抑制功能，对后端交流电路起到更好的保护作用。

本发明授权双向瞬态电压抑制保护器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双向瞬态电压抑制保护器件，其特征在于，包括： 衬底，具有第一导电类型； 外延层，位于所述衬底上，所述外延层具有第二导电类型； MOS晶体管，包含栅极结构、源极区和漏极区，所述栅极结构位于所述外延层上，所述源极区和所述漏极区分别位于所述栅极结构两侧的外延层中；所述源极区和所述漏极区具有第一导电类型，以使得所述衬底、所述外延层和所述源极区构成第一三极管，以及使得所述衬底、所述外延层和所述漏极区构成第二三极管； 其中，若所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，则在所述第一三极管中，所述衬底为集电极，所述外延层为基极，所述源极区为发射极；在所述第二三极管中，所述衬底为发射极，所述外延层为基极，所述漏极区为集电极；所述第一三极管的集电极与接地端连接，所述第一三极管的发射极以及所述MOS晶体管的源极区和栅极结构均与电源端连接，所述第二三极管的发射极与接地端连接；若所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，则在所述第一三极管中，所述衬底为发射极，所述外延层为基极，所述源极区为集电极；在所述第二三极管中，所述衬底为集电极，所述外延层为基极，所述漏极区为发射极；所述第一三极管的发射极与接地端连接，所述第一三极管的集电极以及所述MOS晶体管的源极区和栅极结构与电源端连接，所述第二三极管的集电极与接地端连接。

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