美光科技公司G·杨获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利进行电容器连接再分布的集成存储器以及形成集成存储器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111492144.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权进行电容器连接再分布的集成存储器以及形成集成存储器的方法是由G·杨;V·奈尔;D·D·史莱伦;A·潘戴;李康乐;解志强;S·博尔萨里;M·K·阿赫塔尔;李时雨设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本进行电容器连接再分布的集成存储器以及形成集成存储器的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种进行电容器连接再分布的集成存储器，以及形成所述集成存储器的方法。一些实施例包含集成组件，其具有在多对电容器接触区之间的数字线接触区。所述电容器接触区布置有呈大体上矩形配置的六个邻近电容器接触区。导电插塞与所述电容器接触区耦合。导电再分布材料与所述导电插塞耦合。所述导电再分布材料的上表面布置成大体上密排六方配置。数字线在所述数字线接触区上方。绝缘区在所述数字线与所述导电插塞之间。所述绝缘区含有空隙和或低k介电材料。电容器与所述导电再分布材料的所述上表面耦合。
本发明授权进行电容器连接再分布的集成存储器以及形成集成存储器的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成组件，其包括： 有源区，其各自具有在一对电容器接触区之间的数字线接触区，所述电容器接触区布置成一图案，使得六个邻近的电容器接触区形成大体上矩形配置； 导电插塞，其与所述电容器接触区耦合； 导电再分布材料，其与所述导电插塞耦合，且通过所述导电插塞到所述电容器接触区；所述导电再分布材料从所述导电插塞向上且横向向外延伸；所述导电再分布材料的上表面布置成一图案，使得七个邻近上表面形成大体上密排六方配置的单元； 数字线，其在所述数字线接触区上方； 绝缘区，其在所述数字线与所述导电插塞之间；所述绝缘区包括空隙和低k介电材料中的一者或两者，其中所述空隙和或低k介电材料接触所述电容器接触区的上表面；以及 电容器，其与所述导电再分布材料的所述上表面耦合。
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