三菱电机株式会社西康一获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210237812.2，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由西康一;曾根田真也;古川彰彦;中村胜光设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。针对在栅极沟槽电极的下方具有填埋电极的构造的半导体装置，减小栅极泄漏的滞后。半导体装置100具有形成于与发射极层13、基极层15及载流子积蓄层2接触而到达漂移层1的沟槽内的有源沟槽栅极11。有源沟槽栅极11具有：栅极沟槽绝缘膜11b，其形成于沟槽的内壁；以及栅极沟槽电极11a及填埋电极11c，它们在沟槽内形成于栅极沟槽绝缘膜11b之上，彼此绝缘，该填埋电极11c配置于栅极沟槽电极11a的下方。填埋电极11c的磷浓度比栅极沟槽电极11a的磷浓度低。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： 半导体衬底，其具有第1主面、第2主面及第1导电型的漂移层； 所述第1导电型的载流子积蓄层，其在所述半导体衬底形成于比所述漂移层更靠所述第1主面侧处，与所述漂移层相比杂质的峰值浓度高； 第2导电型的基极层，其在所述半导体衬底形成于比所述载流子积蓄层更靠所述第1主面侧处； 所述第1导电型的发射极层及所述第2导电型的接触层，它们是在所述半导体衬底处与所述第1主面接触地形成的；以及 有源沟槽栅极，其形成于与所述发射极层、所述基极层及所述载流子积蓄层接触而到达所述漂移层的沟槽内， 所述有源沟槽栅极具有： 栅极沟槽绝缘膜，其形成于所述沟槽的内壁；以及 栅极沟槽电极及填埋电极，它们在所述沟槽内形成于所述栅极沟槽绝缘膜之上，彼此绝缘，该填埋电极配置于比所述栅极沟槽电极更靠所述第2主面侧处， 所述栅极沟槽电极及所述填埋电极两者都包含磷， 所述填埋电极的磷浓度比所述栅极沟槽电极的磷浓度低。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励