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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利电平转换电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115085717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210718867.5，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权电平转换电路是由张海能设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本电平转换电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电平转换电路，所述的电平转换电路由NMOS管及PMOS管及一个反相器所组成，包含一个输入端及两个差分输出端；所述的NMOS管包含NM0～NM5共6个NMOS，所述的PMOS管包含PM0～PM7共8个PMOS；本发明所述的电平转换电路，通过高压NMOS和PMOS形成新的电路，在各种工作状态下均具有更低的功耗。

本发明授权电平转换电路在权利要求书中公布了：1.一种电平转换电路，其特征在于：所述的电平转换电路由NMOS管及PMOS管及一个反相器所组成，包含一个输入端及两个差分输出端； 所述的NMOS管包含NM0～NM5共6个NMOS，所述的PMOS管包含PM0～PM7共8个PMOS； 所述输入端为整个电平转换电路的输入接口，输入端与NM4的栅极及反相器的输入端相连，所述输入端还与PM2的栅极相连；所述反相器的输出端与NM5的栅极以及PM3的栅极相连，反相器对所述输入端输入的信号反向后进入下一级电路，最后形成差分输出端中的第二输出端； PMOS管中PM2、PM4、PM6管源漏依次串联，PM6的漏极与NM2的漏极相连，NM2的源极再与NM4的漏极相连，NM4的源极接地； PM0、PM1、PM2、PM3的源极接电源VDDH，PM0的栅极与NM2的栅极连接并与PM6的源极相连；所述PM0的漏极与NM0的漏接连接，所述NM0的源极接地； 所述PM0与NM0串接的节点为所述电平转换电路的第一输出端； PM3、PM5、PM7管源漏依次串联，PM7的漏极与NM3的漏极相连，NM3的源极再与NM5的漏极相连，所述NM5的源极接地； 所述PM6与NM2的连接节点同时连接到PM5的栅极，所述PM7与NM3的连接节点同时连接到PM4的栅极；所述NM2与NM4的连接节点同时连接到NM0以及PM6的栅极，所述NM3与NM5的连接节点同时连接到PM7以及NM1的栅极； 所述PM5与PM7的连接节点同时连接到PM1以及NM3的栅极，所述PM1与NM1的漏源串接，其串接节点形成所述电平转换电路的第二输出端；所述NM1的源极接地。

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