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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种灵敏放大器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116502B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210717537.4，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权一种灵敏放大器电路是由马媛;邵博闻设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种灵敏放大器电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种灵敏放大器电路，包括第一PMOS管、第一电流路径、第二电流路径、第三电流路径、第一反相器、第二反相器、锁存电路以及衬底电压调整电路。第一电流路径连接在第一PMOS管的栅极和地之间，存储单元位于第一电流路径中，第二电流路径连接在第一PMOS管的栅极和电源电压之间，第一PMOS管的源极接到电源电压，第三电流路径接在第一PMOS管的漏极和地之间，衬底电压调整电路由串联的电阻和电流源组成，电流源接地，电阻一端连接电源电压，另一端连接第一PMOS管的衬底，用于调整第一PMOS管的衬底端的电压。本发明通过增加衬底电压调整电路，降低了第一PMOS管的阈值电压，提升了灵敏放大器的输出翻转速度，实现了快速反应的灵敏放大器电路，提升了电路性能。

本发明授权一种灵敏放大器电路在权利要求书中公布了：1.一种灵敏放大器电路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第一电流路径、第二电流路径、第三电流路径、第一反相器、第二反相器、锁存电路以及衬底电压调整电路； 所述第一电流路径连接在所述第一PMOS管的栅极和地之间，存储单元位于所述第一电流路径中，所述第一电流路径用于在放大过程中提供存储单元电流； 所述第二电流路径连接在所述第一PMOS管的栅极和电源电压之间，所述第二电流路径用于在放大过程中提供存储单元比较电流； 所述第三电流路径连接在所述第一PMOS管的漏极和地之间； 令第一值为存储单元的存储数据为1时存储单元电流的大小、第二值为存储单元的存储数据为0时存储单元电流的大小，存储单元比较电流的大小为第三值；当第三值设置为大于第一值使存储单元的存储数据为1时，第一PMOS管的栅极上拉为高电平从而使第一PMOS管断开；当第三值设置为小于第二值使存储单元的存储数据为0时，第一PMOS管的栅极下拉为低电平从而使第一PMOS管导通； 第三电流路径的电流大小为第四值，第四值的大小满足：放大过程中，第一PMOS管断开时第三电流路径使第一PMOS管的漏极和地连接从而保持低电平，在第一PMOS管导通时流过第一PMOS管的电流大于所述第三电流路径的电流从而使第一PMOS管的漏极电压上拉为高电平； 所述第一PMOS管的源极连接到电源电压，漏极连接到所述第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端通过所述锁存电路连接到所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端作为所述灵敏放大器电路的输出端并输出所读取的数据输出信号； 所述衬底电压调整电路用于调整所述第一PMOS管的衬底端的电压，由串联的电阻和电流源组成，所述电流源接地，所述电阻一端连接电源电压，另一端连接所述第一PMOS管的衬底。

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