清华大学冯雪获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利波导调制器以及波导调制器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115167015B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210793132.9，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权波导调制器以及波导调制器制备方法是由冯雪;孔德阳;李永卓;崔开宇;张巍;刘仿;黄翊东设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本波导调制器以及波导调制器制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种波导调制器以及波导调制器制备方法，其中，所述波导调制器包括：第一波导层、第二波导层和铌酸锂层；其中，所述铌酸锂层键合设置于所述第一波导层和所述第二波导层之间。通过本发明提供的波导调制器，可以具有低半波电压‑长度积、高调制速率、低插入损耗的光场相位调控性能。
本发明授权波导调制器以及波导调制器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种波导调制器，其特征在于，所述波导调制器包括：第一波导层、第二波导层和铌酸锂层； 其中，所述铌酸锂层键合设置于所述第一波导层和所述第二波导层之间，其中，所述铌酸锂层的层厚为50nm～300nm，所述铌酸锂层形成狭缝模式，所述波导调制器是由第一波导层-铌酸锂层-第二波导层构成的狭缝波导调制器结构，其中，波导调制器在单位长度电压下相位调制量由公式1表示： 其中，Δφ表示相位调制量；λ表示调制光的波长；neff表示铌酸锂层的等效折射率；r33表示铌酸锂层的电光调制系数；Emicrowave表示单位电压加载下掺杂硅电极产生的调制电场分布，其中，电场主要分布在铌酸锂层；Ex表示光场的X分量；E表示光场矢量。
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