华虹半导体(无锡)有限公司张志明获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利太鼓环环切标志位结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210850279.7，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权太鼓环环切标志位结构及其制造方法是由张志明;谭建兵;马栋;蔡永慧;李晴;赵蕴琦;王岩;郭星设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本太鼓环环切标志位结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种太鼓环环切标志位结构及其制造方法。该太鼓环环切标志位结构位于太鼓环和晶片主体交界处的标志位区域，包括：基底层、层间介质层和金属标志结构；金属标志结构包括金属层，金属层覆盖在层间介质层上；金属标志结构还包括多个相互间隔的金属接触孔，每个金属接触孔向上与金属层相连，每个金属接触孔向下穿过层间介质层伸入到基底层中。制造方法包括：提供晶片；在晶片的标志位区域中刻蚀形成多个相互间隔的接触孔，每个接触孔向下穿过晶片的层间介质层伸入到基底层中；向接触孔淀积金属形成金属接触孔；淀积金属，使得在标志位区域中形成金属层，金属层覆盖在层间介质层上。
本发明授权太鼓环环切标志位结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种太鼓环环切标志位结构，其特征在于，所述太鼓环环切标志位结构位于太鼓环和晶片主体交界处的标志位区域，包括：基底层、层间介质层和金属标志结构； 所述金属标志结构包括金属层，所述金属层覆盖在所述层间介质层上； 所述金属标志结构还包括多个相互间隔的金属接触孔，每个所述金属接触孔向上与所述金属层相连，每个所述金属接触孔向下穿过所述层间介质层伸入到所述基底层中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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