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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种光场-电场耦合检测电极及其制备方法与检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115316971B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210954046.1，技术领域涉及：A61B5/024；该发明授权一种光场-电场耦合检测电极及其制备方法与检测装置是由曾玮;黄瞻;章瑜;桂安;曾野;桂鹏彬;王思亮设计研发完成，并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光场-电场耦合检测电极及其制备方法与检测装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种光场‑电场耦合检测电极及其制备方法与检测装置，检测装置包括传感模块、光器件模块、微处理器模块、电源管理模块、无线模块和生物反馈模块；传感模块包括光场‑电场耦合检测电极、对电极、参比电极和Na2SO3电解液，光场‑电场耦合检测电极为SiAgWO3Bi10O6S9P2O3黑磷工作电极。本发明制备的SiAgWO3Bi10O6S9P2O3黑磷工作电极，在100W的相同光场强度作用下，光电流响应提高了2.2倍；在1100V·m‑1相同电场强度、100W相同光场强度的叠加场作用下，电流响应提高了1.75倍。通过光场‑电场的耦合检测，大幅度提高了磨牙症诊断的准确度。

本发明授权一种光场-电场耦合检测电极及其制备方法与检测装置在权利要求书中公布了：1.一种光场-电场耦合检测电极，其特征在于，所述光场-电场耦合检测电极为SiAgWO3Bi10O6S9P2O3黑磷工作电极； SiAg为基底，各元素的质量百分数为W=40~50%，Si=15~25%，O=15~25%，Bi=10~20%，S=1~5%，Ag=0.1~1%，P=0~0.5%； 所述的Si为n-Si，且其表面附着50~150nm厚的Ag层； WO3薄膜是一种纳米板状结构，垂直并相互交叉分布在n-SiAg基底上，WO3薄膜的厚度为920~980nm，其中单个WO3晶体的面积为940~1000nm*920~980nm，厚度为180~220μm，WO3薄膜上为200~240nm厚的Bi10O6S9薄膜，Bi10O6S9薄膜是一种纳米颗粒结构，均匀填充在WO3纳米板的间隙中； 黑磷纳米片均匀覆盖在WO3Bi10O6S9的间隙中，P2O3为Bi10O6S9薄膜与黑磷界面处一层致密的氧化薄膜，厚度为20~40nm，P2O3和黑磷之间由P-O键构成。

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