福建省晋华集成电路有限公司永井享浩获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211068099.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器件及其制作方法是由永井享浩设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体存储器件及其制作方法，包括衬底，电阻结构，位线结构，与位线触点。衬底包括有源区与多个绝缘区。电阻结构设置在绝缘区上，并包括第一半导体层，第一盖层，与第一间隙壁。位线结构设置在衬底上、横跨有源区与绝缘区，并包括第二半导体层，第一导电层，第二盖层，与第二间隙壁。位线触点设置在衬底内并部分伸入第二半导体层，其中，位线触点与第一半导体层包括彼此相同的半导体材质。由此，可在简化制作工艺的前提下形成兼具结构可靠度与稳定表面电阻值的电阻器。
本发明授权半导体存储器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，其特征在于包括： 衬底，包括有源区以及多个绝缘区； 电阻结构，设置在所述绝缘区上，所述电阻结构还包括： 第一半导体层； 第一盖层，设置在所述第一半导体层上；以及 第一间隙壁，设置在所述第一半导体层与所述第一盖层的侧壁； 位线结构，设置在所述衬底的电介质层上并横跨所述有源区以及所述绝缘区，所述位线结构还包括： 第二半导体层，设置在所述电介质层上； 第一导电层，设置在所述第二半导体层上； 第二盖层，设置在所述第一导电层上；以及 第二间隙壁，直接物理接触所述第二半导体层、所述第一导电层与所述第二盖层的侧壁；以及 位线触点，设置在所述衬底内并部分伸入所述第二半导体层和所述电介质层中，其中，所述位线触点与所述第一半导体层包括彼此相同的半导体材质。
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