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龙图腾网获悉元旭半导体科技(无锡)有限公司申请的专利一种LED芯片结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211000763.7，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权一种LED芯片结构及制备方法是由邓群雄;郭文平;韩奎;王晓宇设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种LED芯片结构及制备方法，属于芯片制备领域，包括LED基层结构，LED基层结构上对应PN位置设有导电柱，导电柱与LED基层机构之间设有支撑层，支撑层与导电柱的高度适应LED基层结构的大小。因为支撑层和导电柱的高度是工艺可控的，所以使用这种制成方式就能够制作体积更小的MicroLED，LED基层越小我们的支撑层就可以适应变得更短，反之LED基层越大支撑层就可以适应变得更长，此工艺的具有很强的普适性。

本发明授权一种LED芯片结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片结构，包括LED基层结构，其特征在于：所述LED基层结构上对应PN位置设有导电柱，所述导电柱与所述LED基层结构之间设有支撑层； 所述LED基层结构由下而上分别为N型GaN层、发光层、AlGaN薄膜层、P型GaN层、ITO层和DBR绝缘层； 所述LED基层结构上设有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽从所述ITO层的上表面向下延伸至所述N型GaN层内部，所述第二沟槽从所述DBR绝缘层的上表面向下延伸至刻蚀截止层，所述DBR绝缘层覆盖于所述ITO层的上表面以及所述第一沟槽的内侧壁； 所述导电柱分别设置于所述第一沟槽和第二沟槽中，两个所述导电柱分别从所述第一沟槽、第二沟槽底部向上延伸至所述支撑层，所述支撑层与所述导电柱的高度适应所述LED基层结构的大小：所述LED基层结构越小，支撑层越短，反之所述LED基层结构越大，支撑层越长，通过所述支撑层高度控制LED芯片重心，所述支撑层与所述导电柱的高度范围为5～60μm； 所述LED基层结构的透光部分设有表面粗化的N型GaN层； 所述LED芯片结构的制作步骤如下： 步骤一：在基底上的LED基层结构上生成电镀种子层和光刻胶层； 生成电镀种子层和光刻胶层之前，在衬底上制备LED基层结构，所述LED基层结构包括：N型GaN层、发光层、AlGaN薄膜层、P型GaN层、ITO层； 在ITO层上设置有第一目标区域和第二目标区域，第一目标区域为N电极对应区域，第二目标区域为P电极对应区域； 在第一目标区域开设第一沟槽，使第一目标区域对应的N型GaN层暴露； 在第一沟槽的底部以及第二目标区域制备刻蚀截止层； 生长DBR绝缘层，DBR绝缘层覆盖于第一沟槽内、截止层表面、暴露的ITO层表面； 刻蚀DBR绝缘层：第一沟槽内刻蚀至刻蚀截止层，第二目标区域刻蚀至刻蚀截止层，形成第二沟槽； 在暴露的所述DBR绝缘层表面、刻蚀截止层表面生成所述种子层； 在所述种子层表面涂覆光刻胶，形成所述光刻胶层； 步骤二：通过显影工艺，在PN极位置将所述光刻胶层显影出开口，包括第一开口、第二开口，所述第一开口的宽度大于所述第一沟槽的宽度，所述第二开口的宽度大于所述第二沟槽的宽度； 步骤三：在开口内电镀铜柱； 步骤四：在铜柱顶部电镀金属键合层； 步骤五：通过去胶工艺去除光刻胶层，然后腐蚀去除裸露出的种子层； 步骤六：在步骤五中的光刻胶层位置形成支撑层，对金属键合层上的支撑层进行光刻，直至露出所述金属键合层； 步骤七：去除基底，暴露出底部N型GaN层； 步骤八：通过光刻和刻蚀技术对暴露的N型GaN层做表面粗化。

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