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龙图腾网获悉晋能光伏技术有限责任公司;中国科学院上海高等研究院申请的专利TCO设备智能化调控异质结电池方阻和膜厚的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346887B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211025232.3，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权TCO设备智能化调控异质结电池方阻和膜厚的方法是由黄金;潘国鑫;杨立友;王继磊;鲁林峰;鲍少娟;白焱辉;郭磊;贾慧君;李东栋设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本TCO设备智能化调控异质结电池方阻和膜厚的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种TCO设备智能化调控异质结电池方阻和膜厚的方法，属于太阳能电池制造技术领域。包括：将待检测硅片放置于载板上并运送至检测平台；检测平台检测待检测硅片的方阻和透明导电薄膜的膜厚；控制端根据检测结果判断透明导电薄膜沉积设备当前制备的电池的方阻和或透明导电薄膜的膜厚是否超过它们各自对应的质量过程控制范围；如果是，修正透明导电薄膜沉积设备的氧气流量和或输出功率；根据修正后的氧气流量和或输出功率沉积后续运输过来的硅片的透明导电薄膜。本发明提供了智能化调控异质结电池方阻和TCO膜厚的方法，通过该方法调控透明导电薄膜沉积设备的氧气流量和输出功率，节省人力、浆料和成本。

本发明授权TCO设备智能化调控异质结电池方阻和膜厚的方法在权利要求书中公布了：1.一种TCO设备智能化调控异质结电池方阻和膜厚的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，将透明导电薄膜沉积设备制备出的含透明导电薄膜的待检测硅片放置于载板上并运送至检测平台； S2，检测平台检测待检测硅片的方阻和透明导电薄膜的膜厚，并将检测结果发送至透明导电薄膜沉积设备的控制端； S3，控制端根据检测结果判断透明导电薄膜沉积设备当前制备的电池的方阻和或透明导电薄膜的膜厚是否超过它们各自对应的质量过程控制范围； S4，如果控制端确定当前制备的电池的方阻和或透明导电薄膜的膜厚超过它们各自对应的质量过程控制范围，则修正透明导电薄膜沉积设备的氧气流量来调整沉积后续电池的方阻，和或修正透明导电薄膜沉积设备的输出功率来调整沉积后续透明导电薄膜的膜厚； S5，控制端将修正后的氧气流量和或输出功率发送至透明导电薄膜沉积设备； S6，透明导电薄膜沉积设备根据修正后的氧气流量和或修正后的输出功率沉积后续运输过来的硅片的透明导电薄膜； 所述S4中修正透明导电薄膜沉积设备的氧气流量来调整沉积后续电池的方阻，包括如下步骤：S4-1，根据上阴极实际方阻和上阴极目标方阻之间的差值修正透明导电薄膜沉积设备上阴极的氧气流量来调整沉积后续电池片的上阴极方阻；S4-2，根据下阴极实际方阻和下阴极目标方阻之间的差值修正透明导电薄膜沉积设备下阴极的氧气流量来调整沉积后续电池片的下阴极方阻； 所述S4-1在根据上阴极实际方阻和上阴极目标方阻之间的差值修正透明导电薄膜沉积设备上阴极的氧气流量时，设定上阴极目标方阻的阻值为X1，上阴极实际方阻的阻值为X2，则上阴极实际方阻和上阴极目标方阻之间的差值为ΔX=X2-X1，设定上阴极的氧气流量为O2-up，则在修正上阴极的氧气流量时，包括如下几种情况： A、当-5≤ΔX≤5时，上阴极的氧气流量O2-up不变； B、当-20≤ΔX＜-5或5＜ΔX≤20时，根据公式ΔO2-up=±0.1~0.3×﹝ΔX5﹞来调节氧气流量的大小；其中，﹝ΔX5﹞表示ΔX5的正整数部分；当ΔX﹤0，±0.1~0.3取﹢号，表示需要增加上阴极的氧气流量；当ΔX﹥0，±0.1~0.3取﹣号，表示需要减少上阴极的氧气流量； C、当ΔX﹤-20或者ΔX﹥20时，控制端确定误差超出范围，进行报警提示。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晋能光伏技术有限责任公司;中国科学院上海高等研究院，其通讯地址为：030600 山西省晋中市山西综改示范区晋中开发区新能源汽车园区广安东街533号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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