上海微电子装备(集团)股份有限公司刘洋获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海微电子装备(集团)股份有限公司申请的专利激光退火制备SiC欧姆接触的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110594560.4，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权激光退火制备SiC欧姆接触的方法是由刘洋;章磊;罗闻设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本激光退火制备SiC欧姆接触的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种激光退火制备SiC欧姆接触的方法。所述方法包括：提供待处理的SiC器件结构，SiC器件结构包括SiC衬底层以及用于形成硅化物的表面金属层；利用第一激光束和第二激光束的组合共同对SiC器件结构的上表面进行退火，第一激光束用于对SiC器件结构进行预加热，第二激光束用于对SiC器件结构进行控温；其中，在同一脉冲周期内，第一激光束的脉冲宽度小于第二激光束的脉冲宽度，且所述第一激光束加载结束后，间隔设定延时时间，所述第二激光束开始加载。利用第一激光束和第二激光束的组合对SiC器件结构进行退火，可以较为精确地调节退火温度和退火时间，以产生合适的化学产物,便于获得满足要求的SiC欧姆接触。
本发明授权激光退火制备SiC欧姆接触的方法在权利要求书中公布了：1.一种激光退火制备SiC欧姆接触的方法，其特征在于，包括： 提供待处理的SiC器件结构，所述SiC器件结构包括SiC衬底层以及用于形成硅化物的表面金属层； 利用第一激光束和第二激光束的组合共同对所述SiC器件结构的上表面进行退火，所述第一激光束用于对所述SiC器件结构进行预加热，所述第二激光束用于对所述SiC器件结构进行控温；其中，在同一脉冲周期内，所述第一激光束的脉冲宽度小于所述第二激光束的脉冲宽度，且所述第一激光束加载结束后，间隔设定延时时间，所述第二激光束开始加载； 所述表面金属层和所述SiC衬底层的界面反应在设定温度范围内发生，所述设定温度范围为900℃～1100℃，在所述第一激光束对所述SiC器件结构进行预加热的过程中，所述SiC器件结构的温度至少达到所述设定温度范围的下限。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海微电子装备(集团)股份有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张东路1525号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励