买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利一种氮化镓高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411107B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211215531.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种氮化镓高电子迁移率晶体管是由李孟泽;刘杰;黄汇钦设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本申请适用于晶体管技术领域，提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管。氮化镓高电子迁移率晶体管包括衬底、氮化铝成核层、铝镓氮势垒层及钝化层；钝化层中设置有与铝镓氮势垒层相接触的源极、漏极及栅极；氮化镓高电子迁移率晶体管还包括氮化铝缓冲层和N‑1个浮空场环，其中，氮化铝缓冲层位于氮化铝成核层与氮化镓缓冲层之间，氮化铝缓冲层与氮化铝成核层相接触，且氮化铝缓冲层与氮化镓缓冲层的接触面为包括N个阶梯的阶梯式结构；N‑1个浮空场环设置在钝化层中远离铝镓氮势垒层的一侧，且每个浮空场环位于一个阶梯在所述钝化层的映射区内。这种氮化镓高电子迁移率晶体管的泄露电流小、电场分布均匀，因此击穿电压较高，适用范围较大。

本发明授权一种氮化镓高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管，包括衬底以及设置在所述衬底上，且沿远离所述衬底的方向依次排列的氮化铝成核层、氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层及钝化层；所述氮化铝成核层与所述衬底相接触，所述铝镓氮势垒层与所述钝化层相接触；所述钝化层中设置有与所述铝镓氮势垒层相接触的源极、漏极及栅极；其特征在于，所述氮化镓高电子迁移率晶体管还包括： 氮化铝缓冲层，位于所述氮化铝成核层与所述氮化镓缓冲层之间，所述氮化铝缓冲层与所述氮化铝成核层相接触，且所述氮化铝缓冲层与所述氮化镓缓冲层的接触面为包括N个阶梯的阶梯式结构； N-1个浮空场环，设置在所述钝化层中远离所述铝镓氮势垒层的一侧，且每个所述浮空场环位于一个所述阶梯在所述钝化层的映射区内； 第i个所述阶梯与所述氮化镓缓冲层的第一侧之间的距离小于第i+1个所述阶梯与所述氮化镓缓冲层的第一侧之间的距离；所述氮化镓缓冲层的第一侧为所述氮化镓缓冲层中远离所述氮化铝成核层的一侧，1≤i≤N-1； 所述N-1个浮空场环分别位于第二个所述阶梯在所述钝化层的映射区至第N个所述阶梯在所述钝化层的映射区内； 所述源极和所述栅极均位于第一个所述阶梯在所述钝化层的映射区内； 所述漏极位于第N个所述阶梯在所述钝化层的映射区内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳天狼芯半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市福田区沙头街道天安社区深南大道6019号金润大厦18E；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。