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南亚科技股份有限公司王茂盈获国家专利权

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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利电容器、半导体元件及该电容器的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115527982B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210301642.X,技术领域涉及:H01L23/522;该发明授权电容器、半导体元件及该电容器的制备方法是由王茂盈;黄则尧设计研发完成,并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

电容器、半导体元件及该电容器的制备方法在说明书摘要公布了:本公开提供一种电容器、具有该电容器的半导体元件以及该电容器的制备方法。该半导体元件具有多个存储器胞,该等存储器胞的其中至少一个包括一电容器的。该电容器具有一第一电极,包含氮化钛并设置在一基底上;一介电膜,设置在该第一电极上;一多层膜,设置在该介电膜上;以及一第二电极,包含氮化钛并设置在该多层膜上。该电容器的制备方法包括形成包含氮化钛的该第一电极在该基底上;形成一介电膜在该第一电极上;形成该多层膜在该介电膜上;以及形成包含氮化钛的该第二电极在该多层膜上。

本发明授权电容器、半导体元件及该电容器的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种电容器,包括: 一第一电极,包括一伸张部,设置在一基底上; 一介电膜,包括一压缩部,设置在该第一电极上,其中该第一电极与该介电膜形成一混合下电极; 一多层膜,设置在该介电膜上,其中该多层膜配制成一堆叠结构,包括一第一材料层、一第二材料层、一第三材料层以及一第四材料层,该第一材料层直接设置在该介电膜上,该第二材料层设置在该第一材料层上,该第三材料层设置在该第二材料层上,该第四材料层设置在该第三材料层上,并且其中该第一材料层包含铪,该第二材料层与该第四材料层包含氧化锆,且该第三材料层包含氧化铝;以及 一第二电极,包含氮化钛并设置在该多层膜上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人南亚科技股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新北市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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