联华电子股份有限公司苏柏文获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110724797.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体元件的制作方法是由苏柏文;吕承翰设计研发完成，并于2021-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件的制作方法，包括：于半导体基材表面形成图案化掩模层。图案化掩模层包括多个立壁以及一覆盖部，至少有两个相邻立壁定义出至少一个第一开口，将一部分表面暴露于外，覆盖部毯覆于基材表面上。形成第一图案化光致抗蚀剂层，覆盖于覆盖部的一部分上。进行第一蚀刻制作工艺于半导体基材中形成一第一沟槽，穿过基材表面并对准第一开口。移除一部分图案化掩模层以形成一第二开口，将另一部分的基材表面暴露于外。进行第二蚀刻制作工艺，在半导体基材中形成第二沟槽，并在基材表面上定义出一个主动区，使第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度。
本发明授权半导体元件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制作方法，包括: 在半导体基材的表面上形成图案化掩模层，使该图案化掩模层包括多个立壁以及至少一覆盖部，其中该多个立壁的至少两个相邻者定义出至少一第一开口，将一部分的该表面暴露于外，该至少一覆盖部毯覆于该表面上； 形成第一图案化光致抗蚀剂层，覆盖于该至少一覆盖部的一部分上； 采用该图案化掩模层和该第一图案化光致抗蚀剂层的组合作为蚀刻掩模，进行第一蚀刻制作工艺，在该基材中形成至少一第一沟槽，穿过该表面并对准该至少一第一开口； 移除一部分的该图案化掩模层，以形成至少一第二开口，将该表面的另一部分暴露于外；以及 采用剩余的该图案化掩模层和该第一图案化光致抗蚀剂层的组合作为蚀刻掩模，进行第二蚀刻制作工艺，在该基材中形成至少一第二沟槽，并在该表面上定义出主动区，使该至少一第一沟槽具有大于该至少一第二沟槽的深度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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