苏州紫灿科技有限公司张骏获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州紫灿科技有限公司申请的专利一种深紫外发光二极管及其外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211267103.5，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权一种深紫外发光二极管及其外延生长方法是由张骏;张毅;岳金顺;陈景文设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种深紫外发光二极管及其外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及复合欧姆接触层，复合欧姆接触层包括由下至上层叠设置的第一子层以及第二子层，第一子层为金属极性面半导体层，第二子层为氮极性面半导体层；上述第一子层为P型掺杂时可以给深紫外发光二极管提供大量空穴，同时第一子层还用作激活极性转化的必要条件，以将部分第一子层经氮化处理后转化为第二子层，第二子层由于表面存在更多的氮悬挂键，可以提高其自身的掺杂效率，进而可以降低深紫外发光二极管的接触电阻，更进一步可以提高深紫外发光二极管的墙插效率。
本发明授权一种深紫外发光二极管及其外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括由下至上层叠设置的衬底、 本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及复合欧姆接触层； 其中，所述复合欧姆接触层包括由下至上层叠设置的第一子层以及第二子层；所述第一子层的材料为硅掺杂的金属极性面氮化铝镓材料或者镁掺杂的金属极性面氮化铝镓材料，所述第一子层中铝组分的质量百分比范围在0.1%至100%之间，所述第一子层的厚度范围在1nm至20nm之间；所述第二子层的材料为均匀硅掺杂的氮极性面氮化铝镓材料、均匀镁掺杂的氮极性面氮化铝镓材料、δ型硅掺杂的氮极性面氮化铝镓材料以及δ型镁掺杂的氮极性面氮化铝镓材料中的任意一种，所述第二子层中铝组分的质量百分比范围在0.1%至100%之间，所述第二子层的厚度范围在0.1nm至10nm之间。
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