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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利永磁体稳磁方法及永磁体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588552B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211172169.6，技术领域涉及：H01F13/00；该发明授权永磁体稳磁方法及永磁体是由沈鑫腾;孙颖莉;丁勇;刘雷;赵江涛;王春国;王朝中;周波;闫阿儒设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本永磁体稳磁方法及永磁体在说明书摘要公布了：本发明涉及一种永磁体稳磁方法及永磁体。该永磁体稳磁方法包括如下步骤：将永磁体充磁至饱和状态；对饱和状态的永磁体进行部分退磁，退磁量范围小于或等于21％，退磁后的表观磁畴尺寸为0.1μm‑1.0μm。上述永磁体稳磁方法，从稳定磁畴的角度出发，通过限定退磁量以及表观磁稠尺寸的方式进行部分退磁，以消除磁畴的不稳定状态，使其磁矩提前偏转至稳定状态，大幅减少自然磁损，提高永磁体的时间稳定性。这种部分退磁稳磁方法普适性强，简单高效，效果显著，有利于提高关键磁性器件的使用精度以及稳定性。

本发明授权永磁体稳磁方法及永磁体在权利要求书中公布了：1.一种永磁体稳磁方法，其特征在于，包括如下步骤： 将永磁体充磁至饱和状态； 通过交流脉冲磁场退磁或直流磁场退磁，对饱和状态的永磁体进行部分退磁，退磁量范围为7%-21%，退磁后的表观磁畴尺寸为0.5μm-1.0μm； 所述交流脉冲磁场退磁以及所述直流磁场退磁均包括如下步骤： 通过BH仪测量得到永磁体的退磁曲线； 根据永磁体所需退磁量确定永磁体的剩磁Br，剩磁Br=100%-退磁量； 对照退磁曲线，根据剩磁Br确定其所对应的退磁场H1大小； 参考H1，重复验证试验直至确定交流退磁场H2或直流退磁场H3的大小； 根据交流退磁场H2或直流退磁场H3对永磁体进行退磁； 在参考H1重复验证试验直至确定交流退磁场H2或直流退磁场H3大小的步骤中，还包括如下步骤： 根据退磁场H1对永磁体进行退磁； 检验退磁后永磁体的剩磁Br1，若Br1=Br，则该退磁场H1即为交流退磁场H2或直流退磁场H3，若Br1≠Br，则将永磁体充磁，根据Br1与Br的差值对退磁场H1进行调整后再次进行退磁，重复该步骤至Br1=Br。

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