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龙图腾网获悉苏州微光电子融合技术研究院有限公司申请的专利一种CWDM光发送芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115598767B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211099433.8，技术领域涉及：G02B6/124；该发明授权一种CWDM光发送芯片是由张凯鑫;张赞允设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CWDM光发送芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CWDM光发送芯片，包括：SiNx光栅耦合器、SiNx模斑转换器、波导转换器、SiNx‑薄膜铌酸锂电光调制器、SiNx‑薄膜铌酸锂波导器件、SiNx‑薄膜铌酸锂CWDM波分复用器，其特征在于，SiNx材料沉积在二氧化硅衬底层，形成SiNx波导器件层，薄膜铌酸锂直接键合在SiNx波导器件层上，SiNx波导器件层用于刻蚀SiNx‑薄膜铌酸锂波导器件，SiNx波导器件层上依次覆盖二氧化硅薄膜层与薄膜铌酸锂层；本发明利用薄膜铌酸锂材料的电光调制特性，采用倒脊形波导结构，能够实现高速电光调制，将波分复用与电光调制集成，实现了高速率、大容量的信号传输。

本发明授权一种CWDM光发送芯片在权利要求书中公布了：1.一种CWDM光发送芯片，包括：SiNx光栅耦合器、SiNx模斑转换器、波导转换器、SiNx-薄膜铌酸锂电光调制器、SiNx-薄膜铌酸锂波导器件、SiNx-薄膜铌酸锂CWDM波分复用器，其特征在于， SiNx材料沉积在二氧化硅衬底层，形成SiNx波导层，薄膜铌酸锂无需刻蚀直接键合在所述SiNx波导层上，所述SiNx波导层上依次覆盖二氧化硅薄膜层与薄膜铌酸锂层，所述SiNx波导层经过刻蚀以后与覆盖在其上的二氧化硅层及薄膜铌酸锂层共同形成SiNx-薄膜铌酸锂波导器件； 所述SiNx光栅耦合器为CWDM光发送芯片与光纤的耦合接口，所述SiNx模斑转换器用于将光栅区域的光模场传递到光波导中传输，所述波导转换器用于将SiNx波导内部传输的光模场传递到SiNx-薄膜铌酸锂波导层中传输；所述SiNx-薄膜铌酸锂电光调制器通过SiNx模斑转换器将光模场尽可能限制在薄膜铌酸锂材料中，同时使用薄膜铌酸锂材料二次电光系数γ33，从而实现高速电光调制。

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