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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种钳位电压可选的横向穿通型SiC-TVS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632056B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211138213.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种钳位电压可选的横向穿通型SiC-TVS器件是由韩超;苑广安;汤晓燕;王东;吴勇;陈兴;黄永设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钳位电压可选的横向穿通型SiC-TVS器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种钳位电压可选的横向穿通型SiC‑TVS器件，包括碳化硅衬底层、外延层基区、正电极和若干负电极，外延层基区内包括有两个端部发射区扩展区、若干个中间发射区扩展区、两个端部发射区以及若干个中间发射区，外延层基区、端部发射区扩展区和中间发射区扩展区为轻掺杂，端部发射区和中间发射区为重掺杂；碳化硅衬底层、端部发射区扩展区、中间发射区扩展区、端部发射区和中间发射区为第一导电类型，外延层基区为第二导电类型，第一导电类型和第二导电类型相反。本发明在平面NPN或PNP穿通结构的基区表面横向插入若干个N+或P+发射区，通过优化发射区结构参数和基区浓度，在单管TVS芯片上实现更宽范围的钳位电压选择。

本发明授权一种钳位电压可选的横向穿通型SiC-TVS器件在权利要求书中公布了：1.一种钳位电压可选的横向穿通型SiC-TVS器件，其特征在于，所述横向穿通型SiC-TVS器件包括碳化硅衬底层、外延层基区、正电极和若干负电极，其中： 所述外延层基区位于所述碳化硅衬底层之上； 所述外延层基区内包括有两个端部发射区扩展区、若干个中间发射区扩展区、两个端部发射区以及若干个中间发射区，其中，所述两个端部发射区扩展区分别设置于所述外延层基区的两端，所述若干个中间发射区扩展区均匀间隔分布于所述两个端部发射区扩展区之间，所述两个端部发射区分别设置于所述两个端部发射区扩展区内，且所述端部发射区扩展区、所述端部发射区的一侧面对应的与所述外延层基区的一侧面平齐，每个所述中间发射区扩展区内均设置有一所述中间发射区； 所述正电极位于一端的所述端部发射区之上； 所述若干负电极位于另一端的所述端部发射区之上以及所述若干个中间发射区之上； 其中，所述外延层基区、所述端部发射区扩展区和所述中间发射区扩展区为轻掺杂，所述端部发射区和所述中间发射区为重掺杂； 所述碳化硅衬底层、所述端部发射区扩展区、所述中间发射区扩展区、所述端部发射区和所述中间发射区为第一导电类型，所述外延层基区为第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型相反。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学芜湖研究院，其通讯地址为：241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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