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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种横向变掺杂体二极管的SiC VDMOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632069B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211263060.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种横向变掺杂体二极管的SiC VDMOSFET器件是由韩超;王竞曈;宋庆文;陶利;王东;吴勇;陈兴;黄永设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种横向变掺杂体二极管的SiC VDMOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种横向变掺杂体二极管的SiCVDMOSFET器件，包括：由下至上依次设置的漏极、N+衬底和N‑漂移区；N‑漂移区的两侧部上分别具有P阱区；P阱区的内部具有N+有源区；P阱区朝外的侧面表面上形成第一P+接触区；第一P+接触区背向N+有源区的侧面上形成有P‑接触区；P‑接触区背向第一P+接触区的侧面上形成第二P+接触区；还包括：栅氧层、栅极、SiO2钝化层和源极。本发明通过在不增加SiCVDMOSFET体二极管的元胞尺寸前提下，形成P+P‑P+的横向变掺杂结构的接触区，改善了PN结的少子存储效应，改善了器件的反向恢复特性，从而解决SiCVDMOSFET寄生体二极管反向恢复特性较差带来的开关功耗增加、器件可靠性下降的问题。

本发明授权一种横向变掺杂体二极管的SiC VDMOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种横向变掺杂体二极管的SiCVDMOSFET器件，其特征在于，包括：由下至上依次设置的漏极10、N+衬底20和N-漂移区30； 所述N-漂移区30的两侧部上分别具有P阱区40； 所述P阱区40的内部具有N+有源区50； 所述N+有源区50与所述P阱区40的内侧边界之间具有间隔； 所述P阱区40朝外的侧面表面上形成第一P+接触区61； 所述第一P+接触区61，由所述N-漂移区30的表面延伸至所述P阱区40的底部边界处，且与所述N+有源区50的朝外的侧边接触； 所述第一P+接触区61背向所述N+有源区50的侧面上形成有P-接触区62； 所述P-接触区62背向所述第一P+接触区61的侧面上形成第二P+接触区63； 还包括：栅氧层71、栅极72、SiO钝化层80和源极90； 所述栅氧层71，与两个所述P阱区40之间的N-漂移区30的表面、部分P阱区40表面和部分N+有源区50的表面接触； 所述栅极72，位于所述栅氧层71的上方； 所述SiO钝化层80，位于所述栅氧层71和所述栅极72的上方； 所述源极90，位于所述第一P+接触区61、所述P-接触区62、所述第二P+接触区63、部分N+有源区50和所述SiO钝化层80的上方。

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