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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种钳位电压可选的多台阶肖特基接触SiC-TVS器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632070B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211260992.2，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种钳位电压可选的多台阶肖特基接触SiC-TVS器件及制备方法是由韩超;苑广安;汤晓燕;王东;吴勇;陶利;陈兴;黄永设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钳位电压可选的多台阶肖特基接触SiC-TVS器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种钳位电压可选的多台阶肖特基接触SiC‑TVS器件及制备方法，器件包括：碳化硅衬底层，碳化硅衬底层具有第一上表面和第二上表面；碳化硅外延层，碳化硅外延层位于碳化硅衬底层上，在碳化硅外延层上表面的一端边缘形成n级台阶结构；若干负电极，若干负电极分别位于碳化硅外延层上的水平台面之上；正电极，正电极位于碳化硅衬底层的下表面；碳化硅外延层为轻掺杂，碳化硅衬底层的导电类型与碳化硅外延层的导电类型相反。本发明利用SiC的材料特性优势和台面刻蚀终端原理，构造上端电极为肖特基接触的多级斜角台面结构，避免器件边缘发生电场集中，使雪崩击穿发生在器件内部的PN结处。且实现了在单管TVS芯片上更宽范围的钳位电压选择。

本发明授权一种钳位电压可选的多台阶肖特基接触SiC-TVS器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钳位电压可选的多台阶肖特基接触SiC-TVS器件，其特征在于，所述多台阶肖特基接触SiC-TVS器件包括： 碳化硅衬底层，所述碳化硅衬底层具有第一上表面和第二上表面，且所述第一上表面位于所述第二上表面的上方，所述第一上表面和所述第二上表面之间的第一斜角侧壁面与所述第二上表面形成的锐角夹角为θ； 碳化硅外延层，所述碳化硅外延层位于所述碳化硅衬底层之上，在所述碳化硅外延层上表面的一端边缘形成n级台阶结构，每一级所述台阶结构包含第二斜角侧壁面和水平台面，所述第二斜角侧壁面与所述水平台面形成的锐角夹角为θ，且最靠近所述碳化硅衬底层的第n级台阶结构的所述第二斜角侧壁面与所述第一斜角侧壁面具有连续性，n≥1，其中，当n≥2时，第k级台阶结构对应的刻蚀深度为hk–hk-1，hk为第k级台阶结构的水平台面与所述碳化硅衬底层的上表面之间的垂直距离，hk-1为第k-1级台阶结构的水平台面与所述碳化硅衬底层的上表面之间的垂直距离，1≤k≤n； 若干负电极，所述若干负电极分别位于所述碳化硅外延层上的若干个水平台面之上； 正电极，所述正电极位于碳化硅衬底层的下表面； 其中，所述碳化硅外延层为轻掺杂，所述碳化硅衬底层的导电类型与所述碳化硅外延层的导电类型相反。

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