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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种多台阶的钳位电压可选的SiC-TVS器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632071B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211330241.3，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种多台阶的钳位电压可选的SiC-TVS器件及制备方法是由韩超;苑广安;汤晓燕;王东;吴勇;刘雄;陈兴;黄永设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多台阶的钳位电压可选的SiC-TVS器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多台阶的钳位电压可选的SiC‑TVS器件及制备方法，器件包括：碳化硅衬底层，碳化硅外延堆叠层，碳化硅外延堆叠层包括n层第一碳化硅外延层和n层第二碳化硅外延层；第一电极，位于最顶层的第二碳化硅外延层上；若干第二电极，位于碳化硅衬底层的第二上表面上及第1层第二碳化硅外延层至第n‑1层第二碳化硅外延层的第四上表面上；其中，第一碳化硅外延层为轻掺杂，第二碳化硅外延层为重掺杂，且碳化硅衬底层和第二碳化硅外延层均为第一导电类型，第一碳化硅外延层为第二导电类型。本发明解决了电路系统非稳态工作时需适配多个TVS器件防护所引起的系统体积尺寸增大及功耗增加的问题。

本发明授权一种多台阶的钳位电压可选的SiC-TVS器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多台阶的钳位电压可选的SiC-TVS器件，其特征在于，所述SiC-TVS器件包括： 碳化硅衬底层，所述碳化硅衬底层具有第一上表面、第二上表面以及位于所述第一上表面和所述第二上表面之间的第一侧壁面，所述第一上表面位于所述第二上表面的上方； 碳化硅外延堆叠层，所述碳化硅外延堆叠层包括n层第一碳化硅外延层和n层第二碳化硅外延层，所述n层第一碳化硅外延层和所述n层第二碳化硅外延层交替层叠设置在所述碳化硅衬底层的第一上表面上，所述碳化硅外延堆叠层的最底层为所述第一碳化硅外延层，所述碳化硅外延堆叠层的最顶层为所述第二碳化硅外延层； 并且，从下至上的第1层所述第二碳化硅外延层至第n-1层所述第二碳化硅外延层具有第三上表面、第四上表面以及位于所述第三上表面和所述第四上表面之间的第二侧壁面，所述第三上表面位于所述第四上表面的上方，第1层所述第一碳化硅外延层位于所述碳化硅衬底层的第一上表面上，第k层所述第一碳化硅外延层位于所述第k-1层所述第二碳化硅外延层的第三上表面上，2≤k≤n； 第一电极，位于最顶层的所述第二碳化硅外延层上； 若干第二电极，位于所述碳化硅衬底层的第二上表面上及第1层所述第二碳化硅外延层至第n-1层所述第二碳化硅外延层的第四上表面上； 其中，所述第一碳化硅外延层为轻掺杂，所述第二碳化硅外延层为重掺杂，且所述碳化硅衬底层和所述第二碳化硅外延层均为第一导电类型，所述第一碳化硅外延层为第二导电类型。

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