中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642155B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110811957.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括衬底以及凸立于衬底的多个鳍部，衬底沿多个鳍部的排列方向上包括相邻的第一区域和第二区域；其中，沿鳍部的排列方向上，第一区域的鳍部朝向远离第二区域的一侧倾斜，第二区域的鳍部朝向远离第一区域的一侧倾斜；隔离层，位于衬底上且围绕鳍部，隔离层覆盖鳍部的部分侧壁；栅极结构，位于隔离层上且横跨鳍部；第一源漏掺杂区，位于第一区域的栅极结构两侧的鳍部内；第二源漏掺杂区，位于第二区域的栅极结构两侧的鳍部内，沿鳍部的排列方向上，第二源漏掺杂区与第一源漏掺杂区之间具有间隔。本发明实施例降低第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区之间发生桥接的几率。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括衬底以及凸立于所述衬底的多个鳍部，所述衬底沿所述多个鳍部的排列方向上包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域分别用于形成第一晶体管和第二晶体管；其中，沿所述鳍部的排列方向上，所述第一区域的鳍部朝向远离所述第二区域的一侧倾斜，所述第二区域的鳍部朝向远离所述第一区域的一侧倾斜； 隔离层，位于所述衬底上且围绕所述鳍部，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁； 栅极结构，位于所述隔离层上且横跨所述鳍部； 第一源漏掺杂区，位于所述第一区域的栅极结构两侧的所述鳍部内； 第二源漏掺杂区，位于所述第二区域的栅极结构两侧的所述鳍部内，沿所述鳍部的排列方向上，所述第二源漏掺杂区与所述第一源漏掺杂区之间具有间隔。
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