长鑫存储技术有限公司李蒙获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111062721.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由李蒙设计研发完成，并于2021-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，所述方法包括：于反应室内对半导体结构进行刻蚀处理，得到第一刻蚀结构；在所述反应室内对所述第一刻蚀结构的上表面进行预设等离子体刻蚀处理，得到去除刻蚀副产物后的第二刻蚀结构；其中，用于形成所述预设等离子体的气体中最大分子质量小于或等于氦原子质量，使得相同刻蚀条件下的预设等离子体的行程小于氦原子的行程，在利用预设等离子体刻蚀去除第一刻蚀结构上表面的刻蚀副产物的过程中，避免预设等离子体轰击刻蚀腔体内壁表面形成颗粒状固体，掉落在第一刻蚀结构的上表面，从而提高了制成半导体产品的良率。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 于反应室内对半导体结构进行刻蚀处理，得到第一刻蚀结构； 采用清洁气体对所述反应室的腔体内壁进行清洁处理； 于清洁处理后的所述腔体内壁的表面沉积保护膜层，所述保护膜层的材料包括二氧化硅； 在所述反应室内对所述第一刻蚀结构的上表面进行预设等离子体刻蚀处理，得到去除刻蚀副产物后的第二刻蚀结构；其中，用于形成所述预设等离子体的气体中最大分子质量小于或等于氦原子质量； 以所述第二刻蚀结构为掩膜继续刻蚀，得到目标刻蚀结构； 用于形成所述预设等离子体的气体包括一氧化二氮及氦气；其中，所述一氧化二氮的分子数与所述气体的分子数总数的比为0.75。
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