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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111064472.X，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由郑二虎设计研发完成，并于2021-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，沟道叠层中的牺牲层包括两层第一牺牲层和夹于两层第一牺牲层之间的第二牺牲层，先对晶体管区的沟道叠层进行退火处理，提高相邻第一牺牲层和第二牺牲层的材料间扩散程度均一性，从而提高内凹槽的横向深度均一性；且第二牺牲层和第一牺牲层之间具有刻蚀选择比，在横向刻蚀第二牺牲层的过程中，第一牺牲层对沟道层起到保护作用，在初始内凹槽深度满足需求的同时，提高初始内凹槽露出的第二牺牲层和混合层的端部平整度；此外，第一牺牲层和沟道层的材料间扩散能力低于第一牺牲层和第二牺牲层的材料间扩散能力，在退火处理后，相邻第一牺牲层和沟道层之间的混合层厚度较小，提高内凹槽侧壁平整度，并减小对沟道层的损伤。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括晶体管区，所述基底上形成有覆盖所述基底的初始叠层结构，所述初始叠层结构用于形成位于所述晶体管区的叠层结构，所述初始叠层结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层，所述牺牲层包括两层第一牺牲层和夹于两层所述第一牺牲层之间的第二牺牲层，所述第一牺牲层和沟道层的材料间扩散能力低于所述第一牺牲层和第二牺牲层的材料间扩散能力，且所述第二牺牲层和所述第一牺牲层之间具有刻蚀选择比； 对所述晶体管区的所述沟道叠层进行退火处理，所述退火处理用于使相邻膜层在界面处的材料间扩散程度达到饱和； 图形化所述初始叠层结构，形成位于所述晶体管区的基底上的叠层结构； 在所述退火处理之后，在所述基底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述叠层结构，并覆盖所述叠层结构的部分顶部和部分侧壁； 在所述栅极结构两侧的叠层结构中形成源漏凹槽； 沿垂直于所述栅极结构侧壁的方向，横向刻蚀所述源漏凹槽露出的部分宽度的所述第二牺牲层，形成与所述源漏凹槽相连通的初始内凹槽，所述初始内凹槽位于相邻所述第一牺牲层之间； 沿垂直于所述栅极结构侧壁的方向，横向刻蚀所述源漏凹槽露出的部分宽度的所述第一牺牲层，使剩余所述第一牺牲层的端部与所述初始内凹槽露出的第二牺牲层端部相齐平，形成内凹槽，所述内凹槽位于相邻所述沟道层之间，或者，位于所述沟道层和基底之间； 依次形成位于所述内凹槽中的内侧墙、以及位于所述源漏凹槽中的源漏掺杂层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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