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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799323B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211549207.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种半导体器件结构及其制备方法是由季益静设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件结构及其制备方法，包括：提供半导体基底，于半导体基底内形成的阱区和有源区；于阱区之间的半导体基底上形成栅隔离层、多晶硅层和栅绝缘层组成的栅极结构，以及于栅极结构两侧的阱区表面形成第二金属层，其中，栅隔离层内还包括与半导体基底表面形成肖特基接触的第一金属层。本申请在栅极结构的基础上，于栅隔离层内引入第一金属层，利用第一金属层与阱区之间的半导体基底表面形成肖特基接触，进而降低半导体器件结构的正向开启压降和反向恢复时间，限制了反向漏电流的产生，同时还降低了元胞间的宽度，进一步提高器件性能。

本发明授权一种半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，于所述半导体基底内形成多个间隔设置的第一导电类型阱区，以及位于所述阱区内的第二导电类型的有源区； 于相邻所述阱区之间的所述半导体基底上形成栅极结构，所述栅极结构包括依次层叠的栅隔离层，多晶硅层以及栅绝缘层；其中，所述栅绝缘层包覆所述多晶硅层，并延伸至所述多晶硅层以外的所述半导体基底上，所述栅隔离层内设有与所述半导体基底表面肖特基接触的第一金属层，且所述第一金属层不与所述多晶硅层相接触； 于所述栅极结构两侧的所述阱区表面形成第二金属层，并使所述第二金属层与所述第一金属层电连接，于所述半导体基底上形成第二金属层的步骤包括： 于所述栅绝缘层上刻蚀形成第二开口，所述第二开口至少显露出部分所述阱区和第二有源区； 于所述第二开口内形成第二金属层，所述第二金属层与所述阱区和有源区的接触面形成欧姆接触；所述第二开口的刻蚀范围至少覆盖部分所述栅隔离层，所述第二金属层于所述第二开口的侧壁处与所述第一金属层电连接。

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