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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种应变补偿的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810978B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111082644.6，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种应变补偿的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法是由朱振;刘飞;张新设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应变补偿的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种应变补偿的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。所述激光器由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、Alx1Ga1‑x1y1In1‑y1P下波导层、Ala1Ga1‑a1b1In1‑b1PAla2Ga1‑a2b2In1‑b2P应变补偿垒层、Ga1‑x2Inx2P量子阱、Ala3Ga1‑a3b3In1‑b3PAla4Ga1‑a4b4In1‑b4P应变补偿垒层、Alx3Ga1‑x3y2In1‑y2P上波导层、Al0.5In0.5P上限制层、Al0.5Ga0.50.5In0.5P第一上过渡层、Ga0.5In0.5P第二上过渡层和GaAs帽层。本发明提供激光器通过插入较薄的应变缓冲层或应变渐变结构，降低阱垒界面晶格常数差异，提升波长均匀性，有利于保证一致性，提高产出率，降低成本。

本发明授权一种应变补偿的AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种应变补偿的AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、Alx1Ga1-x1y1In1-y1P下波导层、Ala1Ga1-a1b1In1-b1PAla2Ga1-a2b2In1-b2P应变补偿垒层、Ga1-x2Inx2P量子阱、Ala3Ga1-a3b3In1-b3PAla4Ga1-a4b4In1-b4P应变补偿垒层、Alx3Ga1-x3y2In1-y2P上波导层、Al0.5In0.5P上限制层、Al0.5Ga0.50.5In0.5P第一上过渡层、Ga0.5In0.5P第二上过渡层和GaAs帽层； 其中，a2≤a1≤x1、a3≤a4≤x3，0.5≥b2≥b1≥0.3、0.5≥b3≥b4≥0.3，Ala1Ga1-a1b1In1-b1P及Ala4Ga1-a4b4In1-b4P中In组分大于等于0.5。

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