玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司张祺获国家专利权
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龙图腾网获悉玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司申请的专利使用氢氟酸和臭氧气体的选择性刻蚀工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211722978.X，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权使用氢氟酸和臭氧气体的选择性刻蚀工艺是由张祺;杨海春;仲華;谢挺;杨晓晅设计研发完成，并于2020-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用氢氟酸和臭氧气体的选择性刻蚀工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于刻蚀工件上的含钛层的方法。在一个示例中，该方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件包括第一层和第二层。第一层是含钛层。该方法包括将工艺气体引入到处理腔室中。工艺气体包括臭氧气体和含氟气体。该方法包括将工件上的第一层和第二层暴露于工艺气体，以相对于第二层以更大的刻蚀速率至少部分地刻蚀第一层。
本发明授权使用氢氟酸和臭氧气体的选择性刻蚀工艺在权利要求书中公布了：1.一种加工工件的方法，包括： 将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上，所述工件包括含钛层和含硅层， 将第一工艺气体引入到所述处理腔室中，所述第一工艺气体包括使用远程等离子体源由远程等离子体形成的HF气体； 将所述工件上的所述含钛层和所述含硅层暴露于所述第一工艺气体； 在将所述工件上的所述含钛层和所述含硅层暴露于所述第一工艺气体之后，将第二工艺气体引入到所述处理腔室中，所述第二工艺气体包括臭氧气体； 将所述工件上的所述含钛层和所述含硅层暴露于所述第二工艺气体。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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