长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利静态随机存取存储器单元及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115968190B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111172987.1，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权静态随机存取存储器单元及其形成方法是由刘志拯设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本静态随机存取存储器单元及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种静态随机存取存储器单元及其形成方法，其中，所述存储器单元形成方法包括：提供基底；其中，所述基底至少包括衬底和在所述衬底中形成的有源区；在所述有源区内形成沿第一方向延伸且沿第二方向排列的沟槽；在所述沟槽内形成沿所述第一方向延伸的第二栅极结构；沿所述第二方向修剪所述第二栅极结构，形成所述第一栅极结构；其中，包括静态随机存取存储器单元的存储器中，每两行且间隔两行的所述第一栅极结构具有相同的开口位置；基于所述第一栅极结构，形成凹陷沟道阵列晶体管；基于所述凹陷沟道阵列晶体管形成具有六个晶体管的静态随机存取存储器单元。
本发明授权静态随机存取存储器单元及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器存储器单元的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底；其中，所述基底至少包括衬底和在所述衬底中形成的有源区； 采用自对准多重图形工艺在所述有源区形成第一掩膜图案；其中，所述第一掩膜图案包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的第一窗口； 基于所述第一窗口刻蚀所述有源区，在所述有源区中形成沟槽； 在所述沟槽内形成沿所述第一方向延伸的第二栅极结构，包括：在所述沟槽的内表面形成隔离层，在所述隔离层上形成位于所述沟槽中的导电层；其中，所述导电层的表面低于所述衬底的表面，在所述导电层上形成绝缘层，所述绝缘层的表面与所述衬底的表面齐平； 沿所述第二方向修剪所述第二栅极结构，形成第一栅极结构；其中，包括静态随机存取存储器单元的存储器中，每两行且间隔两行的所述第一栅极结构具有相同的开口位置； 基于所述第一栅极结构，形成凹陷沟道阵列晶体管； 基于所述凹陷沟道阵列晶体管形成具有六个晶体管的静态随机存取存储器单元。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励