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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利有源区的形成方法及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996559B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111202479.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权有源区的形成方法及半导体结构的形成方法是由刘洋;宛伟;王盼设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本有源区的形成方法及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种有源区的形成方法和半导体结构的形成方法，其中，有源区的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的表面依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，第二掩膜层具有形成有源区的初始图案；形成覆盖第二掩膜层的牺牲层；去除牺牲层和部分第二掩膜层，形成具有预设厚度的第三掩膜层；其中，预设厚度小于第二掩膜层的初始厚度；通过第三掩膜层和第一掩膜层，形成有源区。通过对具有形成有源区的初始图案的第二掩膜层进行处理，得到具有较小厚度的第三掩膜层，进而通过第三掩膜层形成有源区，可以使得后续刻蚀过程中图案的形状容易控制，有利于有源区的形成。

本发明授权有源区的形成方法及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种有源区的形成方法，其特征在于， 所述方法包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底的表面依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，所述第二掩膜层具有形成所述有源区的初始图案； 形成覆盖所述第二掩膜层的牺牲层； 去除所述牺牲层和部分所述第二掩膜层，形成具有预设厚度的第三掩膜层；其中，所述预设厚度小于所述第二掩膜层的初始厚度； 通过所述第三掩膜层和所述第一掩膜层，形成所述有源区； 其中，所述去除所述牺牲层和部分所述第二掩膜层，形成具有预设厚度的第三掩膜层，包括： 对所述牺牲层和所述第二掩膜层进行减薄处理，去除部分厚度的第二掩膜层，形成所述具有预设厚度的第三掩膜层和具有所述预设厚度的牺牲层；其中，所述第三掩膜层具有所述初始图案； 去除具有所述预设厚度的牺牲层； 所述第三掩膜层中的初始图案暴露出部分第一掩膜层； 所述通过所述第三掩膜层和所述第一掩膜层，形成所述有源区，包括： 在暴露出的第一掩膜层和所述第三掩膜层的表面形成侧墙材料层； 去除部分所述侧墙材料层和部分所述第三掩膜层，形成第四掩膜层； 通过所述第四掩膜层和所述第一掩膜层，形成所述有源区。

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