长鑫存储技术有限公司陈惠明获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利DRAM数据保持时间预测方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013393B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310081196.0，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权DRAM数据保持时间预测方法、装置、设备及介质是由陈惠明;黄炜设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本DRAM数据保持时间预测方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本公开提供了一种DRAM数据保持时间预测方法、装置、设备及介质，涉及内存测试技术领域。该方法包括采集第一预设时间范围的DRAM数据保持时间下的待拟合数据；通过预设对数正态分布函数对待拟合数据进行拟合，得到关键参数，在关键参数满足预设拟合条件的情况下，得到目标对数正态分布函数；根据目标对数正态分布函数，确定DRAM的数据保持时间。本公开提供的DRAM数据保持时间预测方法、装置、设备及介质，能够避免本征失效的影响，精确预测DRAM数据保持时间测试，快速定位良率损失的原因。
本发明授权DRAM数据保持时间预测方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种DRAM数据保持时间预测方法，其特征在于，包括： 采集第一预设时间范围的DRAM数据保持时间下的待拟合数据； 通过预设对数正态分布函数对所述待拟合数据进行拟合，得到关键参数，在所述关键参数满足预设拟合条件的情况下，得到目标对数正态分布函数； 根据所述目标对数正态分布函数，确定所述DRAM的数据保持时间；所述关键参数包括均值、标准差、目标对数正态分布函数在所述第一预设时间范围内的斜率、以及目标对数正态分布函数在时间坐标轴的截距；所述关键参数满足所述预设拟合条件包括： 所述标准差与斜率的倒数呈线性关系，且标准差与斜率的倒数的拟合优度大于或者等于预设精度阈值。
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