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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116017976B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310174777.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由曹新满;吴耆贤;黄炜设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决接触插塞的接触电阻大的技术问题，该制备方法包括在基底上形成导电层；在导电层上形成第一掩膜层，第一掩膜层具有多个第一掩膜图案；在隔离区的第一掩膜层上形成第二掩膜层，以第二掩膜层为掩膜，刻蚀阵列区的第一掩膜层，以使阵列区的第一掩膜图案形成为第二掩膜图案；利用第一掩膜图案和第二掩膜图案刻蚀导电层，以使阵列区和隔离区的导电层形成多个间隔设置的导电结构；其中，在第二方向上，阵列区的导电结构的特征尺寸小于隔离区的导电结构的特征尺寸；在隔离区的导电结构上形成第一接触插塞。本申请能够减小第一接触插塞的接触电阻。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，并在所述基底上形成导电层，所述基底具有阵列区、隔离区和外围电路区，所述隔离区位于所述阵列区和所述外围电路区之间； 在所述导电层上形成第一掩膜层，所述阵列区和所述隔离区所对应的所述第一掩膜层具有多个第一掩膜图案，各所述第一掩膜图案沿第一方向延伸； 在所述隔离区的所述第一掩膜层上形成第二掩膜层，并以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述阵列区的所述第一掩膜层，以使所述阵列区的所述第一掩膜层中的所述第一掩膜图案形成为第二掩膜图案； 利用所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案刻蚀所述导电层，以使所述隔离区和所述阵列区保留的所述导电层形成为多个间隔设置的导电结构；所述阵列区的所述导电结构在第二方向上的特征尺寸小于所述隔离区的所述导电结构在所述第二方向上的特征尺寸，且隔离区的导电结构与其在同一延伸方向上对应的所述阵列区的所述导电结构连接，其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直； 在所述隔离区的所述导电结构上形成第一接触插塞。

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