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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110782B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310104995.5，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权一种半导体结构的形成方法是由马国锋设计研发完成，并于2023-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：在第一区域的衬底上形成初始第一掩膜层，在第二区域的衬底上形成初始第二掩膜层，初始第一掩膜层和初始第二掩膜层的高度不同；在初始第一掩膜层上形成第一膜层，在初始第二掩膜层上形成第二膜层；测量刻蚀过程中的初始第一掩膜层、第一膜层、初始第二掩膜层和第二膜层的高度；根据初始第一掩膜层和第一膜层的高度和，与初始第二掩膜层和第二膜层的高度和之间的差值，调整刻蚀速率和刻蚀时间；重复多次测量和调整的步骤，直至初始第一掩膜层形成为第一掩膜层，初始第二掩膜层形成为第二掩膜层，第一掩膜层和第二掩膜层均达到预设高度，且两者的高度差在预设范围内。

本发明授权一种半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，在所述第一区域的衬底上形成初始第一掩膜层，在所述第二区域的衬底上形成初始第二掩膜层，所述初始第一掩膜层和所述初始第二掩膜层的高度不同； 在所述初始第一掩膜层上形成第一膜层，在所述初始第二掩膜层上形成第二膜层； 对所述第一区域和所述第二区域进行刻蚀，测量刻蚀过程中的所述初始第一掩膜层、所述第一膜层、所述初始第二掩膜层和所述第二膜层的高度； 根据所述初始第一掩膜层和所述第一膜层的高度和，与所述初始第二掩膜层和所述第二膜层的高度和之间的差值，调整所述初始第一掩膜层、所述第一膜层、所述初始第二掩膜层和所述第二膜层的刻蚀速率和刻蚀时间； 重复多次测量和调整的步骤，直至所述初始第一掩膜层形成为第一掩膜层，所述初始第二掩膜层形成为第二掩膜层，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层均达到预设高度，且两者的高度差在预设范围内。

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