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龙图腾网获悉三一硅能(株洲)有限公司申请的专利太阳能电池的接触结构、制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130548B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211105016.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池的接触结构、制备方法及太阳能电池是由王治业;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池的接触结构、制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏电池技术领域，提供一种太阳能电池的接触结构、制备方法及太阳能电池，其中，太阳能电池的接触结构的制备方法包括在硅衬底的表面沉积形成钝化介质膜；在钝化介质膜的目标区域涂覆金属浆料，金属浆料内含有能够腐蚀钝化介质膜的腐蚀成分，并采用烧结工艺减小目标区域的钝化介质膜的厚度，金属浆料形成电极栅线，目标区域的钝化介质膜的厚度大于零；在电极栅线上施加导引电荷，导引电荷设置为与硅衬底内能够产生的非平衡载流子的电荷相异，并利用光源对非目标区域的钝化介质膜进行照射。如此设置，解决了现有技术中的太阳能电池的金属接触区域的复合损失较高的问题。

本发明授权太阳能电池的接触结构、制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的接触结构的制备方法，其特征在于，包括： 在硅衬底的表面沉积形成钝化介质膜； 在所述钝化介质膜的目标区域涂覆金属浆料，所述金属浆料内含有能够腐蚀所述钝化介质膜的腐蚀成分，并采用烧结工艺减小所述目标区域的所述钝化介质膜的厚度，所述金属浆料形成电极栅线，所述目标区域的所述钝化介质膜的厚度大于零； 在所述电极栅线上施加导引电荷，所述导引电荷设置为与所述硅衬底内能够产生的非平衡载流子的电荷相异，并利用光源对非目标区域的所述钝化介质膜进行照射，所述光源照射所述非目标区域的所述钝化介质膜后，所述硅衬底内会被激发诱导出所述非平衡载流子，所述导引电荷对所述硅衬底内的所述非平衡载流子具有吸引作用，以形成局部电流，所述导引电荷与所述硅衬底内的所述非平衡载流子中和，在所述钝化介质膜内产生局部高温，使所述电极栅线与所述硅衬底之间的所述钝化介质膜局域烧穿，形成针孔状结构，所述电极栅线的金属与所述硅衬底在所述针孔状结构处互扩至所述电极栅线的金属与所述硅衬底相接触，形成金属接触区域，所述金属接触区域构成所述电极栅线与所述硅衬底之间的导电通道。

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