上海空间电源研究所颜廷房获国家专利权
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龙图腾网获悉上海空间电源研究所申请的专利一种无滞后高比能锂氟化碳电极及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116130601B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211717432.5,技术领域涉及:H01M4/133;该发明授权一种无滞后高比能锂氟化碳电极及其制备方法是由颜廷房;刘雯;万冰芯;郭瑞;杨丞;吴超;李永;裴海娟;马尚德;解晶莹设计研发完成,并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无滞后高比能锂氟化碳电极及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种无滞后高比能锂氟化碳电极及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:步骤1,取第一碳材料、第二碳材料,第一碳材料的比表面积大于第二碳材料;采用气相氟化法将第一碳材料和第二碳材料同时进行氟化,得到包含高氟碳比氟化碳和低氟碳比氟化碳的复合氟化碳材料;步骤2,将导电剂、粘接剂、及步骤1得到的复合氟化碳材料分散在溶剂中形成浆料,涂覆在集流体上,烘干后得到复合氟化碳电极。本发明通过将第一碳材料大比表面积碳材料和第二碳材料小比表面积碳材料同时进行氟化,制得同时含有两种氟碳比高氟碳比和低氟碳比的复合氟化碳材料。
本发明授权一种无滞后高比能锂氟化碳电极及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种复合氟化碳电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1,取第一碳材料、第二碳材料,所述第一碳材料的比表面积大于第二碳材料;采用气相氟化法将第一碳材料和第二碳材料同时进行氟化,得到包含高氟碳比氟化碳和低氟碳比氟化碳的复合氟化碳材料;所述第一碳材料为多孔碳,一次粒径为15~30μm;所述第二碳材料为多壁碳纳米管,直径为10~20nm;所述高氟碳比氟化碳的氟碳比为1.05~1.10,所述低氟碳比氟化碳的氟碳比为0.85~0.90;氟化反应的反应温度为350~500℃,氟化反应时间为4~8小时; 步骤2,将导电剂、粘结剂、及步骤1得到的复合氟化碳材料分散在溶剂中形成浆料,涂覆在集流体上,烘干后得到所述复合氟化碳电极。
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