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龙图腾网获悉万国半导体(开曼)股份有限公司申请的专利瞬态电压抑制装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207095B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310318828.0，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权瞬态电压抑制装置是由雪克·玛力卡勒强斯瓦密设计研发完成，并于2018-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本瞬态电压抑制装置在说明书摘要公布了：一种瞬态电压抑制装置，包括第一条形结构的半导体区域和第二条形结构的半导体区域，第一条形结构和第二条形结构中的第一部分半导体区域形成一个可控硅整流器，第一条形结构和第二条形结构中的第二部分半导体区域形成一个P‑N结二极管，第一条形结构和第二条形结构定义一个条形结构间的电流传导区；第一条形结构包括一个第一导电类型的第一掺杂区容，和一个第二导电类型的第二掺杂区；以及第二条形结构包括一个第二导电类型的第一掺杂区，和一个第一导电类型的第二掺杂区。本发明的瞬态电压抑制装置实现了受保护节点处的低电容。瞬态电压抑制装置适用于保护集成电路的数据引脚，尤其适用于当数据引脚用于高速器件应用时。

本发明授权瞬态电压抑制装置在权利要求书中公布了：1.一种瞬态电压抑制装置，其特征在于，包括： 第一条形结构的半导体区域和第二条形结构的半导体区域沿第一方向横向相邻设置在半导体层的主表面上，所述第一条形结构和所述第二条形结构在所述半导体层主表面上与所述第一方向正交的第二方向延伸，所述第一条形结构的第一部分半导体区域和所述第二条形结构中的第一部分半导体区域形成一个可控硅整流器，所述第一条形结构的第二部分半导体区域和所述第二条形结构中的第二部分半导体区域形成一个P-N结二极管，所述第一条形结构和所述第二条形结构定义一个条形结构间的电流传导区；沿所述第二方向的正向，在各条形结构中，所述第一部分半导体区域、所述第二部分半导体区域依次排列； 所述第一条形结构包括一个第一导电类型的第一掺杂区容纳在与第一导电类型相反的第二导电类型的阱区，和一个第二导电类型的第二掺杂区在所述第二方向沿所述第一条形结构长度设置；以及 第二条形结构包括一个第二导电类型的第一掺杂区容纳在第一导电类型的阱区，和一个第一导电类型的第二掺杂区在所述第二方向沿所述第二条形结构长度设置。

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