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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种使用侧栅结构的N面HEMT高频器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310166778.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种使用侧栅结构的N面HEMT高频器件及其制备方法是由马晓华;祝杰杰;周钰晰;秦灵洁;张博文设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种使用侧栅结构的N面HEMT高频器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种使用侧栅结构的N面HEMT高频器件及其制备方法，该器件包括外延基片、n+GaN外延层、源极、漏极、金属互联层、栅极、栅桥和栅介质层，外延基片自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN帽层和GaN帽层，n+GaN外延层包括分布在外延基片内部两侧的第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层，源极和漏极分别位于第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层的上表面，栅极中的多个侧栅间隔设置在第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层之间靠近中心的位置，栅桥在栅极的上表面，金属互联层位于源极、漏极和栅极的上表面，栅介质层覆盖在金属互联层外围下方的器件的上表面。本发明能够改善N面HEMT器件中射频耗散严重的问题以及降低了寄生通道对沟道层通道开关的影响。

本发明授权一种使用侧栅结构的N面HEMT高频器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种使用侧栅结构的N面HEMT高频器件，其特征在于，包括： 外延基片、n+GaN外延层4、源极8、漏极9和金属互联层13、栅极10、栅桥11和栅介质层12，其中， 所述外延基片包括自下而上依次设置的衬底1、GaN缓冲层2、AlGaN势垒层3、GaN沟道层5、AlGaN帽层6和GaN帽层7，所述外延基片的四周边缘形成台阶14以与其他器件形成隔离，所述n+GaN外延层4包括第一n+GaN外延层和第二n+GaN外延层，所述第一n+GaN外延层和所述第二n+GaN外延层对称地分布在所述外延基片的内部两侧，所述源极8位于所述第一n+GaN外延层的上表面，所述漏极9位于所述第二n+GaN外延层的上表面，所述第一n+GaN外延层和所述第二n+GaN外延层之间靠近中心的位置开设有栅极凹槽，所述金属互联层13包括第一金属互联层、第二金属互联层和第三金属互联层，所述第一金属互联层位于所述源极8的上表面，所述第二金属互联层位于所述漏极9的上表面； 所述栅介质层12覆盖在所述外延基片的外表面以及所述栅极凹槽内部，所述n+GaN外延层4、所述源极8和所述漏极9被覆盖在所述栅介质层12的内部，且所述金属互联层13的上表面暴露在所述栅介质层12的外部； 所述栅极10包括多个侧栅101，所述多个侧栅101间隔分布在所述栅极凹槽中所述栅介质层12的上表面，所述栅桥11形成于所述多个侧栅101的上表面，所述第三金属互联层位于所述栅桥11一端的上表面； 所述栅桥11将所述多个侧栅连接起来；所述AlGaN帽层6的厚度为1~3nm，所述GaN帽层7的厚度为100~130nm。

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