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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种含氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层的忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310434895.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种含氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层的忆阻器及其制备方法是由廖武刚;陈晓佩;包国成;庞宇东;王雄锋设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层的忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层的忆阻器及其制备方法，涉及微电子器件制备技术领域。该忆阻器包括由下至上依次设置的衬底、底电极、氧化铟层、金属氧化物混合掺杂层和顶电极，所述的金属氧化物混合掺杂层的材料选自氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化锌、氧化铊中的多种。本发明通过设置氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层，两者协同作用使得制备的忆阻器具有优良的阻变性能和高稳定性的非易失性。本发明在保持简单的工艺步骤的前提下制备出了性能优秀且稳定的忆阻器。

本发明授权一种含氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层的忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层的忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对衬底进行清洁和干燥； 2在衬底上使用物理气相淀积的方法沉积底电极； 3在沉积底电极后，对底电极进行掩膜，使用磁控溅射的方法沉积氧化铟层； 4沉积氧化铟层之后，使用磁控溅射的方法沉积金属氧化物混合掺杂层； 5除去步骤3中的掩膜，在金属氧化物混合掺杂层上覆盖并固定图案化的掩膜版，使用物理气相淀积的方法沉积顶电极，制备得到器件； 6将步骤5制备得到的器件放入加热台进行退火后取出，即得含氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层的忆阻器； 步骤3中，使用磁控溅射的方法沉积氧化铟层为：将溅射仪抽真空后保持在0.1~1.5Pa的气压，在氩气和氧气比例为10~5:1的气氛条件下溅射氧化铟靶材，调节溅射功率为35~60W，并使搭载衬底的基台保持40~200℃的加热温度和5~20rmin的转速条件下进行溅射，溅射时间为2~10min； 步骤4中，使用磁控溅射的方法沉积金属氧化物混合掺杂层为：将溅射仪抽真空后保持在0.1~1.5Pa的气压，在保持无氧气通入或通入40~60sccm氩气的气氛条件下溅射金属氧化物靶材，调节溅射功率为35~60W，并使搭载衬底的基台保持40~200℃的加热温度和5~20rmin的转速条件下进行溅射，溅射时间为2~15min； 所述的含氧化铟层和金属氧化物混合掺杂层的忆阻器，包括由下至上依次设置的衬底、底电极、氧化铟层、金属氧化物混合掺杂层和顶电极； 所述的金属氧化物混合掺杂层的材料为氧化铝和氧化铪，所述的氧化铝与氧化铪的原子百分含量比为x:100-x，1≤x≤50或所述的金属氧化物混合掺杂层的材料为氧化铝和氧化铪，所述的氧化铝与氧化铪的原子百分含量比为x:100-x，1≤x≤50。

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