上海理工大学顾春兴获国家专利权
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龙图腾网获悉上海理工大学申请的专利一种用于摩擦副的自适应表面织构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116480928B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310219813.9，技术领域涉及：F16N1/00；该发明授权一种用于摩擦副的自适应表面织构是由顾春兴;江小辉;郭维诚;丁子珊;鞠鹏飞;刘京周;涂静怡设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于摩擦副的自适应表面织构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于摩擦副的自适应表面织构，包括：摩擦副本体，该摩擦副本体的表面上开设有多个微织构特征形状；该微织构特征形状上设置有织构覆盖层，所述织构覆盖层包括基底及设置于基底上的膜层，该基底设置于微织构特征形状上；调控组件，该调控组件设置于摩擦副本体表面或内部的压力传感器与磁场线圈及控制器，其中压力传感器与磁场线圈均与控制器信号连接。根据本发明，能够根据工程摩擦副的工况条件调整磁场强度、分布，使工程摩擦副始终处于其最优工作范围之内，确保摩擦副在不同工况条件下都具有良好的摩擦学性能。
本发明授权一种用于摩擦副的自适应表面织构在权利要求书中公布了：1.一种用于摩擦副的自适应表面织构，其特征在于，包括： 摩擦副本体1，该摩擦副本体1的表面上开设有多个微织构特征形状2； 该微织构特征形状2上设置有织构覆盖层，所述织构覆盖层包括基底4及设置于基底4上的膜层5，该基底4设置于微织构特征形状2上； 调控组件，该调控组件设置于摩擦副本体1表面或内部的压力传感器3与磁场线圈7及控制器8，其中压力传感器3与磁场线圈7均与控制器8信号连接； 基底4为磁流变塑性体；膜层5为磁流变弹性体膜；所述调控组件用于根据压力传感器3测量的压力信号，通过控制器8调节磁场线圈7产生的磁场强度，使所述织构覆盖层发生可控形变，从而自适应地改变所述微织构特征形状2的几何参数。
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