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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116565692B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310324915.7，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法是由万文坚;曹俊诚设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法，所述的量子级联激光器材料有源区为InxGa1‑xAsInyAl1‑yAs多量子阱，其中0.53x1，0y0.52，通过生长InGaAs调试结构、InGaAs校准结构，InAlAs调试结构、InAlAs校准结构，获得生长参数In源温度、Ga源温度、Al源温度、InxGa1‑xAs生长速率和InyAl1‑yAs生长速率。本发明方法生长应变补偿InGaAsInAlAs量子级联激光器材料，外延效率及准确性得到提高。

本发明授权一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法在权利要求书中公布了：1.一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法，其特征在于，所述的量子级联激光器材料有源区为InxGa1-xAsInyAl1-yAs多量子阱，其中0.53x1，0y0.52，通过生长InGaAs调试结构、InGaAs校准结构，InAlAs调试结构、InAlAs校准结构，获得生长参数In源温度、Ga源温度、Al源温度、InxGa1-xAs生长速率和InyAl1-yAs生长速率；其中InGaAs调试结构为在InP衬底上生长InxGa1-xAsInP超晶格； 所述InGaAs校准结构为：在InP衬底上生长完全应变补偿InxGa1-xAsGaAs超晶格，周期30~50，InxGa1-xAs层的厚度dInGaAs为5~15nm，GaAs层厚度dGaAs=-dInGaAsεInGaAsεGaAs，ε为晶格失配度；生长InxGa1-xAs和GaAs时，Ga源温度相同，生长速率rInGaAs:rGaAs=1+εInGaAs1+εGaAs1-x，r表示生长速率，ε表示失配度，校准结构中InxGa1-xAs和GaAs生长时间关系为tInGaAs:tGaAs=εGaAs1+εGaAsx-1εInGaAs1+εInGaAs；通过调节Ga源温度、InxGa1-xAs生长时间，使生长的材料XRD表征曲线和校准结构模拟曲线超晶格衍射峰峰位一致，从而准确获得Ga源温度和InxGa1-xAs生长速率； 所述InAlAs调试结构为在InP衬底上生长InyAl1-yAsInP超晶格； 所述InAlAs校准结构为在InP衬底上生长完全应变补偿InyAl1-yAsInAs超晶格，周期30~50，其中InyAl1-yAs厚度dInAlAs为5~15nm，InAs层厚度dInAs=-dInAlAsεInAlAsεInAs，ε为晶格失配度；生长速率比rInAlAs:rInAs=1+εInAlAsy1+εInAs，r表示生长速率，ε表示失配度；校准结构中InyAl1-yAs和InAs生长时间比tInAlAs:tAlAs=-εInAs1+εInAsyεInAlAs1+εInAlAs，通过调节Al源温度、InyAl1-yAs生长时间，使生长的材料XRD表征曲线和InAlAs校准结构模拟曲线超晶格衍射峰峰位一致，从而准确获得Al源温度和InyAl1-yAs生长速率。

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