福建兆元光电有限公司刘恒山获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种基于钼的复合基板的外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116581203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310388946.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种基于钼的复合基板的外延生长方法是由刘恒山;吴永胜;马昆旺;解向荣;马野设计研发完成，并于2023-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于钼的复合基板的外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于钼的复合基板的外延生长方法，在钼衬底上蒸镀石墨烯层，得到钼‑石墨烯复合基板，由于石墨烯表面不含化学悬挂键，能够避免晶格适配引起的缺陷，解决衬底晶格失配诱发缺陷的异质外延生长难题，因此将钼‑石墨烯复合基板作为衬底能够减少材料缺陷，提高外延晶体质量，从而提升LED的光电性能。在钼‑石墨烯复合基板上依次制备氮化铝层和缓冲层，后续能够更加容易地进行衬底的激光剥离，进而制作miniLED芯片以及Micro垂直结构LED芯片。
本发明授权一种基于钼的复合基板的外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种基于钼的复合基板的外延生长方法，其特征在于，包括步骤： 在钼衬底上蒸镀石墨烯层得到钼-石墨烯复合基板； 在所述钼-石墨烯复合基板上依次制备氮化铝层和缓冲层； 在所述缓冲层上生长外延层，所述外延层包括依次层叠的粗化层、N型氮化镓层、多量子阱层以及P型氮化镓层； 在所述钼-石墨烯复合基板上制备氮化铝层包括： 在所述钼-石墨烯复合基板上制备厚度为10-60nm的氮化铝层； 在所述钼-石墨烯复合基板上制备缓冲层包括： 将所述钼-石墨烯复合基板放入金属有机物化学气相沉积设备的反应腔中，在所述钼-石墨烯复合基板上生长包含AlNAlGaNGaN的缓冲层。
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